オックスフォードの器械の ThinFilmID の薄膜点検および次元

構成の in-situ 測定および薄膜の厚さのための ThinFilmID SEM の 1nm に。

ThinFilmID は薄膜の構造の層の構成そして厚さを測定するのにエネルギー分散 X 線の分光測定 (EDS) を使用します。

この技術に方法の速度、最適化および使い易さの点では顧客に真のメリットを両方提供する利点の一義的な組合せがあります。

利点

  • 空間的に解決された測定 - サンプルの一定時点を分析して下さい
  • 低い kV で相互作用ボリュームおよび数百 nm だけで制御される優秀な nano スケールの側面解像度 -
  • 層の構成や厚さを測定して下さい
  • 手段の層からの <1nm to2000nm="">
  • 16 までの要素が付いている基板と 7 つまでの層の構造を測定して下さい。
  • データ収集の簡単な最適化のための一義的な可解性およびシミュレーションのツールは調節します
  • 必要性の断面構造無しの非破壊的な技術
  • 最小のサンプル準備 = 時間および原価節約
  • ある SEMs および INCAEnergy を使用は、一義的なハードウェア必要となりません

Last Update: 31. January 2012 23:53

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