NEUE Anlage für den direkten Elektronenstrahl schreiben. Verbesserte Stabilität, ein neuer Digital-Muster-Generator und eine Ultrahochauflösungselektronenoptik ergeben neue Bedingungen.
Das RAITH150-TWO ist die Hauptwahl von Nano-Forschungszentren für ultra die hohe Auflösung, die in der nmreichweite und in den komplexen Anwendungen auf Masken und Wafers bis 8 Inch kopiert. Ein Generator des Musters 20-MHz unter Verwendung der optimierten füllenden Modi des Musters verkürzt Expositionsdauer. Stabilität wird durch die eben konstruierte Abschirmung mit unabhängigem Temperaturregler verbessert.
Das RAITH150-TWO verwendet die spätesten Entwicklungen in der Elektronenoptiktechnologie. Ein eindeutiger quer-über-freier Strahlengang gibt extrem hohe Strahlstromspezifische stromdichten von ungefähr 20.000 A/cm2, die kopierende Ultrahochauflösung im Verbindung mit erhöhtem Lithographiedurchsatz entbinden.
Schlüsselanwendungen
- Mischung-und-Abgleichung mit optischer Lithographie
- Hoch entwickelte Einheitserstausführung
- Berührungen auf Wafers und Masken
- Schablonenherstellung