Der Direkte RAITH150-TWO Elektronenstrahl Schreiben Anlage

NEUE Anlage für den direkten Elektronenstrahl schreiben. Verbesserte Stabilität, ein neuer Digital-Muster-Generator und eine Ultrahochauflösungselektronenoptik ergeben neue Bedingungen.

Das RAITH150-TWO ist die Hauptwahl von Nano-Forschungszentren für ultra die hohe Auflösung, die in der nmreichweite und in den komplexen Anwendungen auf Masken und Wafers bis 8 Inch kopiert. Ein Generator des Musters 20-MHz unter Verwendung der optimierten füllenden Modi des Musters verkürzt Expositionsdauer. Stabilität wird durch die eben konstruierte Abschirmung mit unabhängigem Temperaturregler verbessert.

Das RAITH150-TWO verwendet die spätesten Entwicklungen in der Elektronenoptiktechnologie. Ein eindeutiger quer-über-freier Strahlengang gibt extrem hohe Strahlstromspezifische stromdichten von ungefähr 20.000 A/cm2, die kopierende Ultrahochauflösung im Verbindung mit erhöhtem Lithographiedurchsatz entbinden.

Schlüsselanwendungen

  • Mischung-und-Abgleichung mit optischer Lithographie
  • Hoch entwickelte Einheitserstausführung
  • Berührungen auf Wafers und Masken
  • Schablonenherstellung

Last Update: 3. February 2012 16:23

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