Ion Wave 10 Gas Plasma System von PVA TePla

Die ION Wave 10 Plasma-System ist unsere neueste Entwicklung im Mikrowellen-Plasma-Technologie. Diese niedrigen Kosten, mittelständische Wafer Batch ascher ist mit erweiterten Funktionen, auf die Bedürfnisse von kleinen Gießereien, Universitäten und Start-up-Unternehmen.

Die IoN Welle 10 ist mit neuen, state of the art-Komponenten und Software zur präzisen Steuerung Prozessparameter ausgestattet. Seine Prozessüberwachung und Datenerfassung Software ermöglicht die strengsten Qualitätskontrollen zur Verfügung. Diese Technologie wurde bereits erfolgreich für die Leistungstransistoren, analoge Geräte, Sensoren, optische Geräte, Photonik, MEMS / MOEMS, bio-Geräte, etc. verwendet

Die kleine Stellfläche der Ion Wave 10 erfordert nur minimale Laborfläche und sorgt für eine einfache Installation und Wartung. Mit Mikrowellen-Plasma-Technologie, produziert dieses System hohe Fotolack Veraschung Raten bei minimaler Belastung durch elektrostatische Entladung (ESD).

Features

Key Features der Ion Wave 10 Gas Plasma System gehören:

  • Kleine Stellfläche Tabletop-Design
  • Ein Quarzkammer Platz für bis zu 8 "Wafer und Quarz Boote mit bis to25, 6" Wafer
  • Industrie-PC mit Windows ®-basierten System
  • Graphical User Interface (GUI) Software entspricht Semi E95-1101
  • User Access Control für die Prozess-Entwicklung und Wartung Programmierung
  • Remote-Prozess-Überwachung über Ethernet
  • Onboard Diagnose-Funktionen und Meldesystem
  • Rezept-Editor bietet eine schnelle und vielseitige Parameter-Steuerung
  • 10,4 "Liquid Crystal Display (LCD) Touch-Panel und Tastatur
  • Rezept-Editor-Simulator-Software
  • Online Web-basierte Simulation, Schulung und Support
  • Plug and Play-Installation

Typische Anwendungen

Das Ion Wave 10 Gas Plasma System ist in der Regel zum Einsatz:

  • Photo-Resiststripperanlagen
  • Wafer descum
  • Wafer Reinigung vor Nassätzen
  • SU-8 Entfernen
  • Radierung von Passivierungsschichten
  • Geräte decapsulation zur Fehleranalyse
  • Reinigung und Aktivierung der Oberfläche
  • Niedrige Temperatur Veraschung von Materialien für chemische Spurenanalytik
  • Reinigung der Filter und Membranen

Last Update: 4. October 2011 08:13

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