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Elektronenstrahl-Lithographie-Anlage - Vistec SB250

Überblick
 

Die Elektronenstrahllithographieanlage Vistecs SB250 ist konstruiert worden, während ein Universal- und kosteneffektives Hilfsmittel für beide schreiben und abdecken das Stellen von Anträgen, um den Abnehmern zu erlauben, zu den Marktnachfragen schnell zu reagieren verweisen.
Mit seinen 210 x 210mm Stufenarbeitsweg, denreichweite es das ideale Hilfsmittel für das Freilegen von Masken bis 7 ist, bewegen Sie und Wafers bis zu 200 mm-Durchmesser Schritt für Schritt fort.

Das Konzept des SB250 aktiviert das Handhaben und Berührung von transparenten und undurchsichtigen Verbindungshalbleitermaterialien. Die Baukastenprinziparchitektur erlaubt, dass Ihr SB250 leicht zu einer höheren Hilfsmittelleistung ausgebaut wird.

Der kleine Cleanroomabdruck und das völlig automatisierte Substratflächenhandhaben sowie der hochmoderne Betrieb und die Datenaufbereitungssoftware überzeugen Sie, dass von der hervorragenden Leistung der Serie SB250, die ein Teil des modularen Toolset Vistec ist, seinen Abnehmern von der Industrie und angewandten vom Forschungssektor anbietet.

Die Bereich-erwiesenen VSB (Variabler Geformter Träger), „die Schreiben-auf-d-Fliege“ und die Vektor-Scan-Schreibensmodi sowie die Geformtträger 50keV Spalte sind weitere Höhepunkte der neuen Serie SB250.

 

Hauptmerkmale


Um die spezifischen Bedingungen unserer Abnehmer zu erfüllen sind die folgenden Merkmale wahlweise erhältlich:

  • Verschiedene Substratflächengrößen und -baumuster unterstützt durch die völlig automatisierte Substratfläche, die einschließlich Substratfläche Vorausrichtung handhabt
  • Multidurchgangsschreiben
  • MDSP (Markierungsabfühlungs-Anwendungspaket) einschließlich den Bildbereich metrisch
  • Lay-outDatenaufbereitungsstation, die bis 256 CPU-Kerne für umfaßt:
    • Zerbrechen
    • zusätzliche NäherungsEffekt-Pluskorrektur (PROXECCO) und Einnebelung von Korrekturoptionen
  • Grafische Benutzeroberfläche (GUI) konform zu HALB E95
  • Adreßgitter unten zu 1nm
     

Last Update: 3. January 2013 12:50

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