Reseña
Se ha diseñado el sistema de la litografía de haz electrónico de Vistec SB250 mientras que una herramienta universal y de poco costo para ambos dirige escribe y enmascara la fabricación de aplicaciones para permitir que los clientes reaccionen rápidamente a las demandas de mercado.
Con sus 210 x 210m m que el rango del viaje del escenario él es la herramienta ideal para exponer máscaras hasta 7 avance lentamente y los fulminantes hasta diámetro de 200 milímetros.
El concepto del SB250 activa la manipulación y la exposición de los materiales transparentes y no transparantes del semiconductor compuesto. La configuración de sistema modular permite que su SB250 sea aumentado fácilmente a un funcionamiento más alto de la herramienta.
La pequeña huella del recinto limpio y la manipulación completo automatizada del substrato así como el operatorio y el software avanzados de la preparación de datos le convencerán que de la excelencia de la Serie SB250 que es parte del juego de herramientas modular Vistec está ofreciendo a sus clientes de la industria y del sector aplicado de la investigación.
Los VSB campo-probados (Haz Dado Forma Variable), la “Escribir-en--Mosca” y los modos de escritura de la Exploración del Vector así como la olumna del dar forma-haz 50keV son otros puntos culminantes de la nueva Serie SB250.
Características Dominantes
Para cumplir los requisitos específicos de nuestros clientes las características siguientes están opcionalmente disponibles:
- Diversas tallas y tipos del substrato utilizados por el substrato completo automatizado que manipula incluyendo la pre-alineación del substrato
- Escritura De Pasos Múltiples
- MDSP (Paquete de Programas Informáticos de la Detección de Marca) incluyendo el campo de la imagen métrico
- Estación de la preparación de datos del Plan que reviste hasta 256 memorias de la CPU para:
- el fracturar
- Corrección adicional más del Efecto de Proximidad (PROXECCO) y empañar opciones de la corrección
- Interfaz Gráfica de Usuario (GUI) obediente SEMI a E95
- Matriz del Direccionamiento hacia abajo a 1nm