Sistema da Litografia de Feixe de Elétron - Vistec SB250

Sistema da Litografia de Feixe de Elétron - Vistec SB250

Vista Geral

O sistema da litografia de feixe de elétron de Vistec SB250 é um eficaz na redução de custos e a ferramenta universal para a produção de máscaras e directo escreve aplicações para permitir clientes de responder rapidamente às procuras do mercado. O sistema tem uma escala do curso da fase de 210 x de 210mm que faz lhe uma ferramenta apropriada para expr máscaras até 7inch e bolachas até 200mm no diâmetro.

O SB250 permite a exposição e a manipulação de materiais não transparentes e transparentes do semicondutor composto. A arquitetura de sistema modular permite o SB250 de ser promovida facilmente a um desempenho mais alto da ferramenta.

A manipulação completamente automatizada da carcaça, a pegada pequena do quarto desinfetado e o funcionamento e o software sofisticados da preparação de dados são evidência de forma convincente da Série SB250 que é parte do conjunto de ferramentas modular Vistec estão oferecendo a seus clientes da indústria e do sector aplicado da pesquisa.

Os destaques Adicionais da série SB250 nova são o Feixe Variável-Dado forma campo-provado (VSB), “Escrever-em--Mosca”, modos de escrita da Varredura do Vector e a coluna do dar forma-feixe 50keV.

Características Chaves

As características chaves da Série SB250 opcionalmente disponível para cumprir as exigências específicas de seus clientes incluem:

  • Uma escala dos tamanhos e dos tipos da carcaça apoiados pela carcaça inteiramente automático que segura incluindo o pre-alinhamento da carcaça. 

  • Escrita Multipass. 

  • Pacote de Software da Detecção de Mark (MDSP) que inclui o medidor do campo da imagem. 

  • Estação da preparação de dados da Disposição que cobre até 256 núcleos do PROCESSADOR CENTRAL para a fractura assim como a Correcção adicional do Efeito de Proximidade (PROXECCO) e enevoar opções da correcção. 
  • Interface de Utilizador Gráfica (GUI) complacente SEMI a E95. 

  • Grade do Endereço para baixo a 1nm. 

Last Update: 12. September 2013 11:01

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