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Sistema da Litografia de Feixe de Elétron - Vistec SB250

Vista Geral
 

O sistema da litografia de feixe de elétron de Vistec SB250 foi projectado enquanto uma ferramenta universal e eficaz na redução de custos para ambos dirige escreve e mascara a factura de aplicações para permitir que os clientes reajam rapidamente às procuras do mercado.
Com seus 210 x 210mm a escala do curso que da fase ele é a ferramenta ideal para expr máscaras até 7 avance e bolachas até o diâmetro de 200 milímetros.

O conceito do SB250 permite a manipulação e a exposição de materiais transparentes e não transparentes do semicondutor composto. A arquitetura de sistema modular permite que seu SB250 seja promovido facilmente a um desempenho mais alto da ferramenta.

A pegada pequena da sala de limpeza e a manipulação inteiramente automatizada da carcaça assim como o funcionamento e o software avançados da preparação de dados convencê-lo-ão que da excelência da Série SB250 que é parte do conjunto de ferramentas modular Vistec está oferecendo a seus clientes da indústria e do sector aplicado da pesquisa.

Os VSB campo-provados (Feixe Dado Forma Variável), a “Escrever-em--Mosca” e os modos de escrita da Varredura do Vector assim como a coluna do dar forma-feixe 50keV são uns destaques mais adicionais da Série SB250 nova.

 

Características Chaves


Para cumprir as exigências específicas de nossos clientes as seguintes características estão opcionalmente disponíveis:

  • Vários tamanhos e tipos da carcaça apoiados pela carcaça inteiramente automatizada que segura incluindo o pre-alinhamento da carcaça
  • Escrita Multipass
  • MDSP (Pacote de Software da Detecção de Mark) que inclui o campo da imagem métrico
  • Estação da preparação de dados da Disposição que cobre até 256 núcleos do PROCESSADOR CENTRAL para:
    • fractura
    • Correcção adicional positiva do Efeito de Proximidade (PROXECCO) e enevoar opções da correcção
  • Interface de Utilizador Gráfica (GUI) complacente SEMI a E95
  • Grade do Endereço para baixo a 1nm
     

Last Update: 3. January 2013 12:51

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