多重狀態的電子顯微鏡、 LVEM5 從 Delong - SEM, TEM 和詞根

Delong LVEM5 以 benchtop 設計為特色,是從古典 TEM 結構的重大的啟運,并且是 90% 小於常規電子顯微鏡。

這由短的電子光學列使成為可能,只組成 50% LVEM5 高度。 這意味著 LVEM5 可以是任何地方容易地安裝的幾乎電子想像是需要的。

傳統電子顯微鏡一般要求活性冷卻取消電磁式透鏡導致的熱。 LVEM5 以去除冷卻的必要性的永磁鐵透鏡為特色。 另外,其電子光學列包括一臺 backscattered 電子探測器 (BSE),以便瀏覽的電子顯微鏡術 (SEM)可能平行也被執行。

TEM 模式

透射電鏡術 (TEM)介入電子束的滲透通過粒狀材料的稀薄的部分或者 nanoparticles 存款在薄膜上。

LVEM5 的改進的當地對比好處是最顯著的在 TEM 模式下。

LVEM5 是唯一的傳輸電子顯微鏡可用在 benchtop 配置。 小型的 LVEM5 意味著它在幾乎所有實驗室或工作區可以被安裝,不用對冷卻的需要,隔振,或者古典 TEMs 的其他需求中的任一個。

TEM 模式說明

運算電壓 5kV
解決方法 基本模型 2nm
TEM 提高 1.2 毫微米
放大範圍 基本模型 2,200x - 202,000x
TEM 提高 1,400x - 700,000x
圖像獲取範圍 512x512, 1024x1024, 2056x2056
電子來源 場致發射槍 (FEG)
動力化的階段 標準

SEM 模式

在掃描電子顯微鏡 (SEM)模式下,這條射線通過這個範例從未傳輸,但是在這個範例的表面間瀏覽。 反彈這個範例的電子由特殊分散的電子探測器 (BSE) 和表面結構和構成的圖像收集被創建。

LVEM5 軟件和硬件管理員方便操作,因此任何人可能使用它,不僅僅被培訓的技術人員。 遙控面板符合人體工程學地被設計,并且可以確定如所需求。

SEM 模式說明

運算電壓 5kV
解決方法 3nm
探測器 BSE
放大範圍 640x - 100,000x
圖像獲取範圍 512x512, 1024x1024, 2056x2056
電子來源 場致發射槍 (FEG)
動力化的階段 標準

 

Last Update: 17. December 2013 09:34

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask the manufacturer of this equipment or can you provide feedback regarding your use of this equipment?

Leave your feedback
Submit
Other Equipment