Dünnfilm-Anlage TFS 200 für ALD-Forschung von Beneq Oy

Das TFS 200 ist die flexibelste ALD-Forschungsplattform, die überhaupt für Forschung und Entwicklung bestimmt ist. Alle Details der Anlage werden mit Flexibilität, Modularität und Benutzerfreundlichkeit im Verstand verwirklicht. Mit dem TFS 200, wird die Freiheit der Beschichtung und die Anwendungsentwicklung vollständig in die Hände des Operators gelegt und nicht begrenzt es durch systemverwandte Beschränkungen.

Plasma, Partikel und hohes Längenverhältnis ALD

Direkte und Plasma-erhöhte Fernabsetzung (PEALD) ist im TFS 200 als Standardoption erhältlich. Das Plasma wird capacitively-verbunden (CCP), das von heute das industriekompatible ist. Der Partikel ALD™, entwickelt durch ALD NanoSolutions, Inc., ist auch zum ersten Mal in den Handelsanlagen der forschung ALD, dank eine eindeutige Zusammenarbeitsvereinbarung mit Beneq erhältlich. Das TFS 200 kann planare Nachrichten, Partikel, poröse Massenmaterialien und komplexe Formen 3D mit sehr hohen Längenverhältnismerkmalen beschichten. Abhängig von der Substratfläche sind eine Auswahl von drei Standardreaktions-Kammerauslegungen erhältlich, sowie irgendwelche kundenspezifischen Auslegungen, die unserer Abnehmer' Fälle möglicherweise benötigten.

Die Vorläuferfähigkeiten des TFS 200 sind eindeutig. Ein Gesamtmaximum von 8 Gasleitungen, 4 flüssige Quellen und 4 heiße Quellen erfüllen das forderndste von Anforderungen. Heiße Quelloptionen umfassen Temperaturbereitschaft bis zu 500 °C.

Leistungshöhepunkte
  • Unten 100 nm zur Partikelbeschichtung in der Flüssigbettreaktoroption
  • Direktes und kapazitives verbundenes entferntplasma erhältlich für Plasma-erhöhte Option ALD (PEALD)
  • Prozessschleifenzeit gewöhnlich kleiner als 2 Sekunden. In den spezifischen Fällen sogar kleiner als 1 zweiter (Stärkeeinheitlichkeitsvariante <>z.B., AlO auf23 200 mm-Wafer).
  • Hohes Längenverhältnis (HAR) erhältlich für Zellen mit tiefen Gräben und porösen Substratflächen
  • Heiße Quellvielseitigkeit, °C bis 500 montierte als Standardoption
  • °C Substratflächen-Temperaturoption 1000
  • Datenerfassungs- und Tendenzhilfsmittel der Großen Geschwindigkeit und Kapazitätsfür menschliche Maschinenschnittstelle (HMI)
  • Kalt-Wand Unterdruckkammer für schnelle Heizung und das Abkühlen
  • Zusatzeintraganschlüsse in der Unterdruckkammer aktivieren Plasma, in-situdiagnosen Usw.
  • Heiß-Wand Reaktionskammer für einheitliche Substratflächentemperatur und Vorläuferkondensation und Sekundärreaktionen verhindern
  • Konstruiert unterschiedliche Kammer der Reaktion Drei sowie jede mögliche kundenspezifische Auslegung
  • Substratflächenrotationsoption
  • Schleuse erhältlich für schnelle Substratflächenänderung und -integration mit anderem Gerät
  • Reinraum kompatibel.

Last Update: 11. January 2012 04:41

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