Beneq Oy からの ALD の研究のための薄膜システム TFS 200

Beneq Oy からの ALD の研究のための薄膜システム TFS 200

TFS 200 は研究開発のために設計されている最も適用範囲が広い ALD の研究のプラットホームです。 システムのすべての細部は心の柔軟性、モジュール性および使い易さと実現されます。 TFS 200 を使うと、コーティングおよびアプリケーション開発の自由はシステムに関係した制限によってそれを限定しないオペレータの手に、完全に置かれます。

血しょう、粒子および高いアスペクトレシオ ALD

直接および遠隔血しょう高められた沈殿 (PEALD) は標準オプションとして TFS 200 で使用できます。 今日の (CCP)業界標準である血しょうは capacitively つながれます。 ALD NanoSolutions、 Inc. によって開発される粒子 ALD™は商業用研究 ALD システム、 Beneq の一義的な共同の一致のおかげでではじめてまた使用できます。 TFS 200 は非常に高いアスペクトレシオ機能と平面の目的、粒子、多孔性の第一次製品および複雑な 3D 形に塗ることができます。 基板によって、 3 つの標準の反作用区域デザインの選択は使用できます、また私達の顧客の」必要とする例がかもしれないカスタマイズされたデザイン。

TFS 200 の前駆物質の機能は一義的です。 総最大 8 つのガス管線、 4 つの液体ソースおよび 4 つの熱いソースは条件の最もデマンドが高いの達成します。 熱いソースオプションは 500 °C. まで温度の準備を含んでいます。

パフォーマンスハイライト
  • 流動性にされるの 100 nm の粒子のコーティングに - リアクターオプションを寝かせて下さい
  • 血しょう高められた ALD (PEALD) オプションのために使用できる遠隔容量性つながれた血しょう指示すれば
  • サイクル時間を 2 秒以下習慣上処理して下さい。 特定の場合にはより少しにより 1 第 2 (厚さの均等性の変化 <>200 の mm のウエファーの23 例えば、 AlO)。
  • 深い堀および (HAR)多孔性の基板が付いている構造のために使用できる高いアスペクトレシオ
  • 熱いソース多様性は、 500 まで °C 標準オプションとしてセットアップしました
  • 1000 の °C の基板の温度オプション
  • 人間機械のための高速および容量のデータロギングおよび傾向のツールはインターフェイスします (HMI)
  • 急速な暖房および冷却のための冷た壁の真空槽
  • 真空槽の補助エントリポートは血しょう、そのままの診断等を可能にします。
  • 均一基板の温度のための熱壁の反作用区域および前駆物質の凝縮および二次反作用を防ぐため
  • 3 反作用区域は、またあらゆるカスタマイズされたデザイン設計します
  • 基板の回転オプション
  • 他の装置との急速な基板の変更そして統合のために使用できるロードロック
  • 互換性があるクリーンルーム。

Last Update: 11. January 2012 04:44

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