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薄膜系统 ALD 研究的 TFS 200 从 Beneq Oy

TFS 200 是为研究与开发设计的最灵活的 ALD 研究平台。 这个系统的所有详细资料认识到想着灵活性、模块化和易用。 使用 TFS 200,涂层和应用程序开发自由在不限制这个运算符的现有量完全地安置,它由相关系统限制。

等离子、微粒和高长宽比 ALD

直接和远程等离子改进的证言 (PEALD) 是可用的在 TFS 200 作为一个标准选项。 等离子 capacitively 被耦合 (CCP),是工业标准的今天。 微粒 ALD™,开发由 ALD NanoSolutions, Inc.,第一次也是可用的在商业研究 ALD 系统,由于与 Beneq 的一个唯一协作协议。 TFS 200 可能用非常高长宽比功能涂平面对象、微粒、多孔粒状材料和复杂 3D 形状。 根据这个基体,三个标准回应房间设计的选择是可用的,以及我们的客户’事例也许要求的任何自定义的设计。

TFS 200 的前体功能是唯一的。 总最多 8 条排气管, 4 个液体来源和 4 个热来源执行最过分要求需求。 热来源选项包括温度准备至 500 个 °C。

性能高亮度显示
  • 下来对 100 毫微米在流化床反应器选项的微粒涂层
  • 直接和远程电容耦合的等离子可用为等离子改进的 ALD (PEALD) 选项
  • 习惯处理循环时间少于 2 秒。 在特定情况下不太比 1 秒 (即厚度均一 <>差异,在 20023 mm 薄酥饼的 AlO)。
  • 高长宽比 (HAR)可用为与深沟槽和多孔基体的结构
  • 热来源通用性, 500 °C 设置了作为标准选项
  • 1000 °C 基体温度选项
  • 高速和能力为人力设备界面的数据资料记录和趋势工具 (HMI)
  • 冷墙壁迅速热化和冷却的真空箱
  • 在真空箱的辅助项端口启用等离子,在原处诊断等。
  • 热墙壁统一基体温度的回应房间和防止前体结露和附属回应
  • 三不同回应房间设计,以及所有自定义的设计
  • 基体循环选项
  • 负荷锁定可用为迅速基体更改和综合化用其他设备
  • 兼容的清洁的房间。

Last Update: 11. January 2012 04:36

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