薄膜系統 ALD 研究的 TFS 200 從 Beneq Oy

TFS 200 是為研究與開發設計的最靈活的 ALD 研究平臺。 這個系統的所有詳細資料認識到想著靈活性、模塊化和易用。 使用 TFS 200,塗層和應用程序開發自由在不限制這個運算符的現有量完全地安置,它由相關系統限制。

等離子、微粒和高長寬比 ALD

直接和遠程等離子改進的證言 (PEALD) 是可用的在 TFS 200 作為一個標準選項。 等離子 capacitively 被耦合 (CCP),是工業標準的今天。 微粒 ALD™,開發由 ALD NanoSolutions, Inc.,第一次也是可用的在商業研究 ALD 系統,由於與 Beneq 的一個唯一協作協議。 TFS 200 可能用非常高長寬比功能塗平面對象、微粒、多孔粒狀材料和複雜 3D 形狀。 根據這個基體,三個標準回應房間設計的選擇是可用的,以及我們的客戶』事例也許要求的任何自定義的設計。

TFS 200 的前體功能是唯一的。 總最多 8 條排氣管, 4 個液體來源和 4 個熱來源執行最過分要求需求。 熱來源選項包括溫度準備至 500 个 °C。

性能高亮度顯示
  • 下來對 100 毫微米在流化床反應器選項的微粒塗層
  • 直接和遠程電容耦合的等離子可用為等離子改進的 ALD (PEALD) 選項
  • 習慣處理循環時間少於 2 秒。 在特定情況下不太比 1 秒 (即厚度均一 <>差異,在 20023 mm 薄酥餅的 AlO)。
  • 高長寬比 (HAR)可用為與深溝槽和多孔基體的結構
  • 熱來源通用性, 500 °C 設置了作為標準選項
  • 1000 °C 基體溫度選項
  • 高速和能力為人力設備界面的數據資料記錄和趨勢工具 (HMI)
  • 冷牆壁迅速熱化和冷卻的真空箱
  • 在真空箱的輔助項端口啟用等離子,在原處診斷等。
  • 熱牆壁統一基體溫度的回應房間和防止前體結露和附屬回應
  • 三不同回應房間設計,以及所有自定義的設計
  • 基體循環選項
  • 負荷鎖定可用為迅速基體更改和綜合化用其他設備
  • 兼容的清潔的房間。

Last Update: 23. January 2012 04:50

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