Sistema TFS 200R de la Película Fina para la Investigación Contínua del Modo ALD de Beneq Oy

El Beneq TFS 200R es el primer sistema diseñado para la investigación en la deposición atómica de la capa de la Lista-a-Lista (ALD) y otros formularios de ALD contínuo (CALD). El TFS 200R se utiliza exclusivamente para depositar las películas finas en los substratos flexibles. Por primera vez en historia de ALD, el TFS 200R activa la investigación en el comportamiento dinámico de las diversas químicas del precursor, la simulación de la conveniencia de proceso y la evaluación del funcionamiento de la película en aplicaciones de la Lista-a-Lista ALD.

En el TFS 200R, el substrato flexible es fijo en un cilindro rotatorio dentro del compartimiento de la reacción. El cilindro sí mismo es rodeado por varias boquillas lineales, cada uno que crea una región aislada del gas sobre el de ancho total del substrato. Mientras Que se gira el cilindro, el substrato pasa con diversas regiones del gas y está revestido.

El Beneq TFS 200R, con su estructura robusta y modular, se diseña para cumplir patrones industriales y los requisitos de la adaptabilidad de la investigación hoy. Los contenedores del Precursor son convenientemente pequeños, y pueden ser cambiados fácilmente. Dependiendo de las necesidades de proceso, el TFS 200R se puede equipar de hasta 2 fuentes de calor, tipo HS 80 y/o HS 180. Además, el sistema se puede equipar de hasta 8 líneas de gas y de hasta 4 fuentes líquidas.

Puntos culminantes del Funcionamiento
  • Tipo de deposición de la película Fina hasta 100 nm/min
  • El substrato Móvil, Web acelera a 300 m/min
  • Herramientas de la registración así como de la tendencia de la Velocidad y de datos de la capacidad para el interfaz de máquina humano (HMI).
  • compartimiento de vacío de la Frío-Pared para la calefacción y el enfriamiento rápidos
  • Los accesos Auxiliares del asiento en compartimiento de vacío activan los diagnósticos ines situ etc
  • El substrato y el gas Heated introducen al ensamblaje para la temperatura uniforme del substrato y la prevención de la condensación del precursor
  • Clase 100 (compatibilidad del recinto limpio de la ISO 5)
  • La configuración de la fuente del precursor permite el cambio fácil, inerte de precursores

Last Update: 11. January 2012 04:53

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