Pointprobeï ¿ ½ 是非常高分辨率想象和适应的多才多艺的硅 AFM 探测对所有著名的商业 SPMs (扫描探测显微镜)。 它包括有集成单晶硅技巧的一个单晶硅悬臂。 一个单晶硅持有人支持悬臂和这个技巧。 使用没有接触/TappingMode AFM 探测 NCH 和 NCL，真的基本解决方法由在 UHV 的几个研究所达到。
| 类型 | 反射涂层 | 特殊 | 力常数 | Res. 频率 |
| 联系模式 | 继续 | 无或反射 | n.a. | 0.2 N/m | 13 kHz |
| 联系模式 (短的悬臂) | CONTSC | 无或反射 | n.a. | 0.2 N/m | 25 kHz |
| 联系模式、精工或者蔡司 | ZEILR | 反射 | n.a. | 1.6 N/m | 27 kHz |
没有接触/开发的模式
(高频率) | NCH | 无或反射 | AR5， AR10， AR5T
SSS， PtIr5， DT， CDT | 42 个 N/m | 330 kHz |
| 没有接触/虚拟开发 | NCST | 无或反射 | n.a. | 7.4 N/m | 160 kHz |
没有接触/开发的模式
(长期悬臂) | NCL | 无或反射 | SSS， AR5， DT， CDT | 48 个 N/m | 190 kHz |
没有接触/开发的模式
(精工没有接触的模式) | SEIHR | 反射 | SSS | 15 个 N/m | 130 kHz |
| 强制模块化模式 | FM | 无或反射 | DT， CDT | 2.8 N/m | 75 kHz |
| 静电力显微学 | EFM | n.a. | n.a. | 2.8 N/m | 75 kHz |
磁力显微学
困难磁性 (tipside) | MFMR | 反射 | n.a. | 2.8 N/m | 75 kHz |
磁力显微学
虚拟磁性 (tipside) | S-MFMR | 反射 | n.a. | 2.8 N/m | 75 kHz |
所有数据不预先通知是随时变化。
所有数据是典型的值，为了保证的说明看到探测类型的详细描写。
另外，特殊硅 AFM 探测可以被设计和被制造根据客户的请求。
SSS - > SuperSharpSilicon 技巧
AR5 - > 高长宽比技巧 (5 ：1)
AR10 - > Heigh 长宽比 (10 ：1)
AR5T - > 掀动补偿的高长宽比技巧 (5 ：1)
DT - > 金刚石被涂上的技巧
CDT - > 导电性金刚石被涂上的技巧
PtIr5 - > 白金铱 5 涂层
反射 - > 铝涂层
通用
- 非常高分辨率想象的 SPM 探测
- 对所有著名的商业 SPMs 的适应
- 持有人、悬臂和技巧 Mnolithic 设计
- 技巧指向到这个 <100> 方向
- 一个单晶硅持有人支持悬臂和技巧
物质功能
- 高度被掺杂的，单晶硅
- 被掺杂的硅的高传导性避免静电充电
- Resistively 是一样低的象 0.01-0.025 Ohm*cm。
- 没有内在重点和绝对平直的悬臂
- 没有弯曲悬臂通过更改温度
- 化工应用的惰性硅在流体或电化学细胞
悬臂式
- 悬臂的梯形横断面
- 相当容易的调整的宽探测器端
- 小的宽度在塞尖侧减少故障
 持有人
- 悬臂固定在硅持有人
- 这个持有人的维数是非常再现的
- 探测的替换没有专业再调整的
- 这个持有人的被铭刻的角落避免在这个持有人和这个范例之间的联络
技巧
- 技巧是形状象多角形基于金字塔和位于在悬臂的末端
- 宏观半锥体角度
- 是 20ï ¿ ½ 对 25ï 沿这个悬臂式轴被看到的 ¿ ½
- 是 25ï ¿ ½ 对 30ï 从这个端看到的 ¿ ½
- 请逐渐变细对实际上零在这个技巧的末端 - 技巧半径比 10 毫微米典型地好
- 技巧高度是 10-15 ï ¿ ½ m
对更多信息联络 www.nanworld.com