Pointprobeï ¿ ½ 是非常高分辨率想像和適應的多才多藝的硅 AFM 探測對所有著名的商業 SPMs (掃描探測顯微鏡)。 它包括有集成單晶硅技巧的一個單晶硅懸臂。 一個單晶硅持有人支持懸臂和這個技巧。 使用沒有接觸/TappingMode AFM 探測 NCH 和 NCL，真的基本解決方法由在 UHV 的幾個研究所達到。
| 類型 | 反射塗層 | 特殊 | 力常數 | Res. 頻率 |
| 聯繫模式 | 繼續 | 無或反射 | n.a. | 0.2 N/m | 13 kHz |
| 聯繫模式 (短的懸臂) | CONTSC | 無或反射 | n.a. | 0.2 N/m | 25 kHz |
| 聯繫模式、精工或者蔡司 | ZEILR | 反射 | n.a. | 1.6 N/m | 27 kHz |
沒有接觸/開發的模式
(高頻率) | NCH | 無或反射 | AR5， AR10， AR5T
SSS， PtIr5， DT， CDT | 42 个 N/m | 330 kHz |
| 沒有接觸/虛擬開發 | NCST | 無或反射 | n.a. | 7.4 N/m | 160 kHz |
沒有接觸/開發的模式
(長期懸臂) | NCL | 無或反射 | SSS， AR5， DT， CDT | 48 个 N/m | 190 kHz |
沒有接觸/開發的模式
(精工沒有接觸的模式) | SEIHR | 反射 | SSS | 15 个 N/m | 130 kHz |
| 強制模塊化模式 | FM | 無或反射 | DT， CDT | 2.8 N/m | 75 kHz |
| 靜電力顯微學 | EFM | n.a. | n.a. | 2.8 N/m | 75 kHz |
磁力顯微學
困難磁性 (tipside) | MFMR | 反射 | n.a. | 2.8 N/m | 75 kHz |
磁力顯微學
虛擬磁性 (tipside) | S-MFMR | 反射 | n.a. | 2.8 N/m | 75 kHz |
所有數據不預先通知是隨時變化。
所有數據是典型的值，為了保證的說明看到探測類型的詳細描寫。
另外，特殊硅 AFM 探測可以被設計和被製造根據客戶的請求。
SSS - > SuperSharpSilicon 技巧
AR5 - > 高長寬比技巧 (5 ：1)
AR10 - > Heigh 長寬比 (10 ：1)
AR5T - > 掀動補償的高長寬比技巧 (5 ：1)
DT - > 金剛石被塗上的技巧
CDT - > 導電性金剛石被塗上的技巧
PtIr5 - > 白金銥 5 塗層
反射 - > 鋁塗層
通用
- 非常高分辨率想像的 SPM 探測
- 對所有著名的商業 SPMs 的適應
- 持有人、懸臂和技巧 Mnolithic 設計
- 技巧指向到這個 <100> 方向
- 一個單晶硅持有人支持懸臂和技巧
物質功能
- 高度被摻雜的，單晶硅
- 被摻雜的硅的高傳導性避免靜電充電
- Resistively 是一樣低的像 0.01-0.025 Ohm*cm。
- 沒有內在重點和绝對平直的懸臂
- 沒有彎曲懸臂通過更改溫度
- 化工應用的惰性硅在流體或電化學細胞
懸臂式
- 懸臂的梯形橫斷面
- 相當容易的調整的寬探測器端
- 小的寬度在塞尖側減少故障
 持有人
- 懸臂固定在硅持有人
- 這個持有人的維數是非常再現的
- 探測的替換沒有專業再調整的
- 這個持有人的被銘刻的角落避免在這個持有人和這個範例之間的聯絡
技巧
- 技巧是形狀像多角形基於金字塔和位於在懸臂的末端
- 宏觀半錐體角度
- 是 20ï ¿ ½ 對 25ï 沿這個懸臂式軸被看到的 ¿ ½
- 是 25ï ¿ ½ 對 30ï 從這個端看到的 ¿ ½
- 请逐漸變細對實際上零在這個技巧的末端 - 技巧半徑比 10 毫微米典型地好
- 技巧高度是 10-15 ï ¿ ½ m
对更多信息聯絡 www.nanworld.com