V600 系列包括最高效，靈活，并且有效電路編輯工具可用為半導體實驗室。 他們啟用快速，多才多藝的修改和分析與有效提供高處理量電路 (FIB)修改，跨區分和故障分析的單排，集中的離子束。 V600 系列包括硬件，并且解決先進的電路的軟件擴展名編輯需求在 65 毫微米以下，提供最有效的解決方法的立即和將來的需求。
好處和功能
以 FEI 的最先進的 30 kV 為特色， 5 毫微米響尾蛇離子列， V600 系列的每位親屬至尊有能力在高分辨率想像上，碾碎，和快速存取對在各種各樣的材料的表層下功能。 當高電流運算保證迅速物質刪除和增加的範例處理量時，低壓運算的中間列指點使在 TEM 範例鱗片的故障減到最小。
新的 V600CE 以 NanoChemix 氣體送貨系統為特色傳送更加先進編輯功能。 它是在這個市場上的最多才多藝的氣體送貨系統，使小謊運算符施加各種各樣的氣體可變的壓無敵程序控制和優化的。 這個能力通過雙重，反對的噴管混和氣體為绝緣編輯的重要區域提供優秀品質電介質證言材料。 雙重噴管基於發運為維護的樓層均一或 planarity 也是無價的，當存取設備的更低的金屬層時。 這五氣體 FEI NanoChemix 氣體送貨系統支持發運更加先進的編輯功能：
- XeF2 - 電介質 (SiO2) 和低k 的銘刻
- H2O (O2) - 有機物和銅剪切的銘刻
- Cl2 - 鋁和硅的銘刻
- TMCTS - 裝绝緣體工證言 (SiO2) 與 O2
- 鎢 Hexacarbonyl - 鎢證言
V600CE 包括改進編輯精確度的電路，并且結束指向控制增量電路请編輯成功率的先進的軟件。
擴大 V600CE 的功能與紅外線顯微鏡和批量 Si 槽探程序包的。 一個最近的紅外顯微鏡通過前方電介質和後側方批量硅允許目標結構想像快速，準確定位的。 批量硅槽探硬件包括加速更加快速存取的批量硅蝕刻到電路從後側方的特殊同軸氣體發運噴管。
應用
V600CE 是下列應用的非常好的執行者：