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Träger-Anlage FEI V600FIB Fokussierte (FIB) Ionen

Die Familie V600 enthält das effizientste, flexibel, und kosteneffektive Schaltung bearbeiten die Hilfsmittel, die für Halbleiterlabors erhältlich sind. Sie aktivieren schnelle, vielseitige Modifikation und Analyse mit einem Einspalten-, fokussierten Ionenträger, (FIB) der effektiv hohe Durchsatzschaltungsmodifikation, -einteilung und -Fehleranalyse entbindet. Die Familie V600 enthält Kleinteile und die Software-Extensionen, zum der hoch entwickelten Schaltung zu adressieren bearbeiten Anforderungen unter 65 nm und entbinden die kosteneffektivsten Lösungen für die unmittelbaren und zukünftigen Anforderungen.

Vorteile und Fähigkeiten

Höchstentwickelte 30 KV FEIS Kennzeichnend, 5 nm ist Sidewinder-Ionenspalte, jedes Bauteil der Familie V600 zur hochauflösenden Darstellung Oberst fähig und mahlt und Schnellzugriff zu den unter der Oberfläche liegenden Merkmalen auf einer breiten Reichweite der Materialien. Mittel-Spalte Steuerung für Schwachstromoperationen setzt Schaden in TEM-Probe Lamellen herab, während hoch-aktuelle Operation schnellen materiellen Ausbau und erhöhten Beispieldurchsatz sicherstellt.

Mit seiner Fünfschwerpunkt piezo Stufe bietet das V600FIB uncompromised Neigung und quer-Einteilung Fähigkeiten auf einer großen Auswahl von Proben, von verpackten Teilen vollen 200mm Wafers an. Ein Industrie-anerkanntes Windows-basiertes Betriebssystem passt Bereich-erwiesene, xT-Anwendung-spezifische Software, einschließlich Feld-Sprung Navigation, um Schaden Ihrer Proben herabzusetzen an. Mit dem V600FIB haben Sie die Leistung, Schaltungsmodifikationen, anstelle der Tage innerhalb weniger Stunden durchzuführen, oder Woche-das die Taste zu drastisch beschleunigten Analyse- und Ertragrampen in Ihrem Labor ist. Es bietet auch die nächste Generation der Flexibilität und die Leistung, die für die effektive quer-Einteilung, Darstellung und Transmissions-Elektronenmikroskopie Probenaufbereitung (TEM) benötigt wird an.

Anwendungen

V600FIB ist ausgezeichnetes Ausführendes für die folgenden Anwendungen:

  • HALBLEITER UND DATEN-SPEICHER
    • Schaltung Bearbeiten
    • Fehleranalyse
    • Defekt Analyse
    • Metrologie 3D
  • FORSCHUNG
    • Materialien und Probenaufbereitung
    • Nanoprototyping

Last Update: 3. February 2012 16:23

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