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Prüfende Gegenwärtige Lage von Dünnschicht-Photovoltaics International

Published on February 19, 2009 at 7:08 PM

Forschung und Märkte hat die Einführung des „Weltweites Dünnschicht-Photovoltaics - Berichts des Aktuellen Status und R+D“ zu ihrem Angebot angekündigt.

Sind Herkömmliches Massensilikon basierte PV-Zellen seit den sechziger Jahren verwendet worden und haben erhebliche Entwicklungen durchgemacht, gleichwohl besonders im Licht des aktuellen weltweiten Silikonmangels herzustellen sie, das teuerste sind. Diese Zellbaumuster machten mehr als 83 Prozent des Marktanteils im Jahre 2007 aus. Dünnschicht-PV-Zellen haben seit den früher 70er-Jahren entwickelt, und PV-Zellen der organischen Produkte seit den neunziger Jahren und ungefähr 17 Prozent des Gesamt-PV-Marktes im Jahre 2007 erklärt und es ein von den schnell wachsenden Technologien im Ganzen des alternativen Energiebereichs gemacht. Diese Zellen werden gemacht, indem man direkt photoactive Material auf eine dünne Substratfläche abgibt, und sind deshalb viel Verdünner und benötigen weniger Material als herkömmliche PV-Zellen und anbieten zunehmende Leistungsfähigkeit. Es gibt einige wichtige Dünnschicht-PV-Zellbaumuster: formloses Silikon (EinSi); Kadmiumtellurid (CdTe); und Kupfer-Indium-Diselenid-/Kupferindiumgallium diselenide (DIESSEITS/CIGS) und auch organische Anlagen. Im Jahre 2007 zeigte NREL CIGS PV-Zellen mit 19,9 Prozent Leistungsfähigkeit, die noch sehr weit entfernt von der ist, die durch Universität von Delaware-Forschern für kristallenes Silikon berichtet wird (42,8 Prozent), aber zeigt nichtsdestoweniger das ungeheure Potenzial für Dünnschicht-PV und seine große Anwendbarkeit in vielen Anwendungen.

Schlüsseltreiber, die Entwicklung und den Gebrauch von organischen und Dünnschicht-PV-Zellen aktivierend, umfassen Regierungsprogramme, Silikonkosten und Verfügbarkeit.

Die aktuellen Hauptdünnschicht-PV-Technologien, die ungefähr 17 Prozent des Gesamt-PV-Marktes im Jahre 2007 erklärt werden, und diese wird erwartet, auf mehr als 32 Prozent (ungefähr 4 GW) bis 2013 zu erhöhen. Einige Aktivitäten, die durch Einteilungen im PV-Sektor durchgeführt werden, helfen der Entwicklung dieses neuen Markts.

Die Aussichten für organisch-basierte PV-Einheiten fahren fort zu verbessern, während Entwicklung näher an Kommerzialisierung erhält und eine Leistungsfähigkeit von 8-10 Prozent in der absehbaren Zukunft wahrscheinlich ist. Der Erfolg von organischem und Dünnschicht-PVs hängt von ihrer Fähigkeit, im Vergleich zu existierenden elektrischen Quellen wie steifem PVs und Batterien und mit auftauchenden Technologien wie Brennstoffzellen Kosten-wettbewerbsfähig zu sein ab.

Dünnschicht-PV-Zellen, die auf kristallenem und formlosem Silikon basieren, CdTe, und CIGS sind in verschiedene Phasen der Fertigung, und ihm wird erwartet, dass sie die Kostenaufstellung erzielen, die benötigt wird, um direkt mit den anderen Energieformen zu konkurrieren. Diese Reduzierungen werden beträchtlicher, wenn Dünnschichttechniken direkt auf Baumaterialien wie Fliesen und Ziegelsteinen produziert werden.

PV-Anwendungen können in drei Kategorien, mit einbeziehende die ungefähr unterteilt werden: Stromerzeugungseinbau, herkömmliche Elektronik und wegwerfbare Elektronik.

Für die umfangreichen Anwendungen von PV in Gebäude eingebautem PV, müssen ländliche Elektrifizierung und Bewässerungspumpenprojekte PV-Herstellungskosten durch mindestens einen Faktor von zwei verringert werden. Da Produktionskosten sinken, flügelt Nachfrage nach PV-Strom Anlagenzubehör über.

SchlüsselThemen Umfaßt:

Zusammenfassungs-Kapitel 1: Einleitung und Verfahren-Kapitel 2: PV-Technologie und Entwickler-Überblick-Kapitel 3: Dünnschicht-PV-Materialien und -eigenschaften: Das PositionierungsKapitel 4 des Entwicklers: Herstellung Überblick-Kapitel 5: Kapitel 6 der Kommerziellen Anwendungen: Weltweites Marktaussichten Kapitel 7: Laufendes R&D- und Entwicklungstrendnebenerscheinung Abschnitt-Kapitel 8: SchlüsselErgebnisse in diesem Berichts-Kapitel 9: Führende Foto-voltaische Material-und ZellLieferanten

Last Update: 14. January 2012 11:30

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