Oxford-Instrumente, die Nah mit der Führung von LED-Hersteller, Halb-Polare GaN-Schicht für Optoelektronische Einheiten Zu Fabrizieren Arbeiten

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

In den letzten zehn Jahren sind Gruppe III-Nitrid Materialien für die sichtbaren und ultravioletten lichtemittierenden Dioden und die blauen, violetten Laserdioden weit verbreitet gewesen. Die Meisten dieser optoelektronischen Einheiten werden gewöhnlich auf den herkömmliches polares (0001) Cflugzeug orientierten Substratflächenmaterialien fabriziert. Die Einheiten, die auf der polaren Substratflächenorientierung gewachsen werden, erleiden unerwünschte spontane und piezoelektrische Polarisation mit dem Ergebnis des beträchtlichen Bandes, das gut in das Quantum verbiegt. Dieses verringert Strahlungsrekombinations-Leistungsfähigkeit und senkt Einheitsleistung.

Jetzt hat das technische Team an Oxford-Instrumenten-TDI, geführt von Dr. Alexander Usikov, beträchtlichen Fortschritt gemacht, wenn es dieses Problem löste, und nah mit einem führenden LED-Hersteller, um diese halb-polare GaN-Schicht für optoelektronische Einheiten zu fabrizieren arbeitet. Dieses würde Strahlungsrekombinations-Leistungsfähigkeit und Einheitsleistung erhöhen.

Um diese Polarisationseffekte zu vermindern, ist Wachstum von GaN-bedingten Einheiten entlang den halb-polaren und apolaren Richtungen intensiv studiert worden. Unter Verwendung der Hydriddampfphasenepitaxie (HVPE) hat das Team hohe Qualität, halb-polares (11,2) orientiertes GaN auf (10,0) Mflugzeug Saphir mit einer Zwischenschicht zwischen der Saphirsubstratfläche und der GaN-Schicht gewachsen.

Die halb-polaren (11,2) GaN-Schichten wurden in der Temperaturspanne von 930 zu 1050°C in einem trägen Argon gewachsen, das mit Atmosphärendruck umgebend ist. Gallium und Aluminium wurde als metallisches Quellenmaterial und Wasserstoffchlorid und (HCl) Ammoniak (NH3) als die Activegase für den HVPE-Prozess verwendet. Die Epitaxie von GaN wurde an der Stunde ungefähr 60µm/unter Verwendung einer Zwischenschicht durchgeführt, die auf Mflugzeug Saphir abgegeben wurde, der von einer undoped GaN-Schicht gefolgt wurde. Die Wachstumsprozedur ergibt hohe Qualität, halb-polare GaN-Schicht mit Stärke bis zu µm 30.

Last Update: 14. January 2012 10:34

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit