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Instrumentos de Oxford que Trabalham Pròxima com Condução do Fabricante do DIODO EMISSOR DE LUZ Fabricar a Camada Semi-Polar de GaN para Dispositivos Optoelectronic

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

Na última década, os materiais do Iii-nitreto do Grupo foram amplamente utilizados para diodos luminescentes visíveis e ultravioletas e diodos láser azuis, violetas. A Maioria destes dispositivos optoelectronic são fabricados tipicamente (0001) c-planos polar convencional nos materiais orientados da carcaça. Os Dispositivos crescidos na orientação polar da carcaça sofrem a polarização espontânea e piezoeléctrica indesejável tendo por resultado a faixa significativa que dobra-se no quantum bem. Isto reduz a eficiência radiative da recombinação e abaixa o desempenho do dispositivo.

Agora a equipe técnica nos Instrumentos-TDI de Oxford, conduzidos pelo Dr. Alexander Usikov, fez o progresso significativo em resolver este problema, e está trabalhando pròxima com um fabricante principal do DIODO EMISSOR DE LUZ para fabricar esta camada semi-polar de GaN para dispositivos optoelectronic. Isto aumentaria a eficiência da recombinação e o desempenho radiative do dispositivo.

A fim diminuir estes efeitos de polarização, o crescimento de dispositivos GaN-relacionados ao longo dos sentidos semi-polares e não-polares foi estudado intensa. Usando a epitaxia da fase de vapor do hidruro (HVPE), a equipe cresceu (11,2) GaN orientados de alta qualidade, semi-polar (em 10,0) safiras do m-plano com uma camada intermediária entre a carcaça da safira e a camada de GaN.

(As 11,2) camadas semi-polares de GaN foram crescidas na variação da temperatura de 930 a 1050°C em um argônio inerte ambiental na pressão atmosférica. O Gálio e o alumínio foram usados como os materiais de origem e o cloreto de hidrogênio e (HCl) a amônia metálicos (NH3) como os gáss do active para o processo de HVPE. O crescimento epitaxial de GaN foi executado na hora aproximadamente 60µm/usando uma camada intermediária depositada na safira do m-plano seguida por uma camada undoped de GaN. O procedimento do crescimento conduz à camada de alta qualidade, semi-polar de GaN com espessura até o µm 30.

Last Update: 14. January 2012 07:47

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