Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

Аппаратуры Оксфорда Работая Близко с Ведением Изготовления СИД для того чтобы Изготовить Semi-Приполюсный Слой GaN для Электронно-оптический Приборов

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

В прошлой декаде, материалы III-нитрида Группы широко были использованы для видимых и ультрафиолетов светоиспускающих диодов и голубых, лиловых лазерных диодов. Большой Часть из этих электронно-оптический приборов типично изготовлена на обычной приполюсной (0001) ориентированных c-плоскостью материалах субстрата. Приборы, котор росли на приполюсной ориентации субстрата терпят нежелательную самопроизвольно и пьезоэлектрическую поляризацию приводящ к в значительно диапазоне в сумме хорошо. Это уменьшает радиационную эффективность рекомбинации и понижает представление прибора.

Теперь техническая команда на Аппаратурах-TDI Оксфорда, водить Др. Александром Usikov, сделала значительно прогресс в разрешать эту проблему, и работает близко с ведущим изготовлением СИД для того чтобы изготовить этот semi-приполюсный слой GaN для электронно-оптический приборов. Это увеличило бы радиационные эффективность рекомбинации и представление прибора.

Для того чтобы умалить эти влияния поляризации, рост GaN-родственных приборов вдоль semi-приполюсных и неполярных направлений был изучен интенсивно. Используя эпитаксию участка пара гидрида (HVPE), команда росла высокомарочное, semi-приполюсное (11,2) ориентированных GaN на (10,0) сапфирах m-плоскости с промежуточным слоем между субстратом сапфира и слоем GaN.

Semi-приполюсные (11,2) слоев GaN рослись в диапазоне температур от 930 к 1050°C в инертном аргоне окружающем на атмосферном давлении. Галлий и алюминий были использованы как металлические исходные материалы и хлорид водопода (HCl) и амиак (NH3) как газы active для процесса HVPE. Выполнил эпитаксиальный рост GaN на часе приблизительно 60µm/используя промежуточный слой депозированный на сапфире m-плоскости следовать undoped слоем GaN. Процедура по роста приводит к в высокомарочном, semi-приполюсном слое GaN с толщиной до µm 30.

Last Update: 14. January 2012 10:47

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit