Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

Oxford Instruments nära samarbete med ledande LED-tillverkare att tillverka Semi-Polar GaN lager för optoelektronisk utrustning

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

Under det senaste decenniet har grupp III-nitrid material som använts i stor omfattning för synlig och ultraviolett lysdioder och blått, violett laserdioder. De flesta av dessa optoelektronisk utrustning är vanligtvis monterad på den konventionella polar (0001) c-plan orienterade substrat material. Enheter som odlas på Polar substrat orientering lider oönskade spontan och piezoelektriska polarisering resulterar i betydande band böjning i quantum well. Detta minskar strålningsvärme rekombination effektivitet och sänker enhetens prestanda.

Nu tekniska teamet på Oxford Instruments -TDI, ledda av Dr Alexander Usikov, har gjort betydande framsteg i att lösa detta problem, och har ett nära samarbete med en ledande LED-tillverkare för att tillverka dessa semi-polära GaN lager för optoelektronisk utrustning. Detta skulle öka radiativa rekombination effektivitet och enhetens prestanda.

För att minska dessa polarisering effekter, har tillväxten av GaN-relaterade enheter längs halv-polära och opolära riktningar studerats intensivt. Använda hydride ångfasen epitaxi (HVPE) har laget vuxit hög kvalitet, semi-polära (11,2) orienterad GaN på (10,0) M-planet safir med ett mellanliggande skikt mellan safir substrat och GaN lager.

Den semi-polära (11,2) GaN lager odlades i temperaturområdet från 930 till 1050 ° C i en inert argon omgivande vid atmosfärstryck. Gallium och aluminium har använts som metalliska råvaror och väteklorid (HCl) och ammoniak (NH3) som den aktiva gaser för HVPE processen. Den epitaxiell tillväxt av GaN utfördes på cirka 60μm / timme med ett mellanliggande skikt deponeras på m-planet safir följt av en odopade GaN lager. Tillväxten förfarande resulterar i hög kvalitet, semi-polära GaN lager med tjocklek upp till 30 ìm.

Last Update: 3. October 2011 01:31

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit