牛津仪器严密地与导致 LED 制造商一起使用制造光电子设备的半极化 GaN 层

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

在最近几十年,组 III 氮化物材料为可视和紫外发光二极管和蓝色,紫罗兰色激光二极管是用途广泛。 大多这些光电子设备在常规极性 (0001 架) c 飞机针对的基体材料典型地被制造。 在极性基体取向增长的设备遭受不理想的自发和压电极化造成很好弯曲在这个数量的重大的范围。 这减少辐射性再结合效率并且降低设备性能。

现在牛津仪器TDI 的技术小组,导致由亚历山大 Usikov 博士,取得了在解决此问题的重大的进展和严密地与一个主导的 LED 制造商一起使用制造光电子设备的这些半极化 GaN 层。 这将增加辐射性再结合效率和设备性能。

为了减少这些偏振效应, GaN 关连的设备增长沿半极化和无极的方向的强烈地被学习。 使用氢化物蒸气阶段外延 (HVPE),这个小组增长在 (10.0) m 飞机青玉的优质,半极化 (11.2) 针对的 GaN 与在青玉基体和 GaN 层之间的中间层。

半极化 (11.2) GaN 层在从 930 的温度范围增长到在惰性氩的 1050°C 四周以大气压。 镓和铝使用了作为金属参考来源资料和氯化氢 (HCl)和氨 (NH3) 作为激活气体为 HVPE 进程。 GaN 外延生长进行了在近似 60µm/时数使用在 m 飞机青玉存款的中间层跟随由一块无掺杂的 GaN 层。 增长程序导致与厚度的优质,半极化 GaN 层至 30 µm。

Last Update: 14. January 2012 04:25

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