牛津儀器嚴密地與導致 LED 製造商一起使用製造光電子設備的半極化 GaN 層

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

在最近幾十年,組 III 氮化物材料為可視和紫外發光二極管和藍色,紫羅蘭色激光二極管是用途廣泛。 大多這些光電子設備在常規極性 (0001 架) c 飛機針對的基體材料典型地被製造。 在極性基體取向增長的設備遭受不理想的自發和壓電極化造成很好彎曲在這個數量的重大的範圍。 這減少輻射性再結合效率并且降低設備性能。

現在牛津儀器TDI 的技術小組,導致由亞歷山大 Usikov 博士,取得了在解決此問題的重大的進展和嚴密地與一個主導的 LED 製造商一起使用製造光電子設備的這些半極化 GaN 層。 這將增加輻射性再結合效率和設備性能。

為了減少這些偏振效應, GaN 關連的設備增長沿半極化和無極的方向的強烈地被學習。 使用氫化物蒸氣階段外延 (HVPE),這個小組增長在 (10.0) m 飛機青玉的優質,半極化 (11.2) 針對的 GaN 與在青玉基體和 GaN 層之間的中間層。

半極化 (11.2) GaN 層在從 930 的溫度範圍增長到在惰性氬的 1050°C 四周以大氣壓。 鎵和鋁使用了作為金屬參考來源資料和氯化氫 (HCl)和氨 (NH3) 作為激活氣體為 HVPE 進程。 GaN 外延生長進行了在近似 60µm/時數使用在 m 飛機青玉存款的中間層跟隨由一塊無摻雜的 GaN 層。 增長程序導致與厚度的優質,半極化 GaN 層至 30 µm。

Last Update: 24. January 2012 11:38

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