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EUR 14.5m für die Entwicklung von Leistungsstarken und Effizienten Elektronischen Geräten

Published on March 23, 2009 at 7:15 AM

Elektronisches Gerät macht unser tägliches Programm viel einfacher - in unseren Jobs sowie in unserer Freizeit. Innerhalb des DECISIF-Projektes möchten Partner der wissenschaftlichen und industriellen Zusammenarbeit das Potenzial von erforschen „belasteten Silikon“, um die sogar leistungsstarken und energiesparenden Einheiten für Laptops, Handys und MP3-players herzustellen.

DECISIF ist ein Meilenstein für die zukünftige Produktion von leistungsfähigeren Mikroprozessoren und von Speichern mit unterem Energieverbrauch mit dem Ergebnis der erweiterten Betriebszeit.

Das BundesMinisterium für Bildung und Wissenschaft (BMBF) Gewährung EUR 8.1m für DECISIF (die Einheits- und Schaltungsleistung aufgeladen durch Silikon-materielle Fälschung). Ein Anderes EUR 6.4m wird von den Projektpartnern GLOBALFOUNDRIES Dresden, Siltronic AG, AIXTRON AG, Forschungszentrum Jülich sowie das Max Planck Institute von der Mikrostruktur-Physik beigetragen. Es gibt auch Zusammenarbeit mit Franzosepartnern STMicroelectronics, SOITEC und LETI im Rahmen des Eu-Projektes Medea. Das Projekt wird von Prof Siegfried Mantl des Forschungszentrums Jülich koordiniert.

Eine Technik, die durch das Forschungszentrum Jülich patentiert wird, wird unter anderem verwendet, um belastetes Silikon mit bereits erwähnten vorteilhaften Eigenschaften zu fabrizieren. Das Kristallgitter des Silikons wird durch mechanische Spannung erweitert, um die elektrischen Eigenschaften des Silikons zu ändern: die Ladungsträger sind in der Lage, sich durch den Transistor, die möglichen Schaltfrequenzzunahmen und die Leistungsaufnahmen-Abnahmen beträchtlich schneller zu bewegen. Dieses macht den Weg für stärkeres und gleichzeitig sogar kleinere Transistoren frei. Eigenschaften von (global) belasteten Silikon werden kombiniert mit neuen Techniken, um lokal belastetes Silikon herzustellen, um eine außergewöhnlich hohe Mobilität des Ladungsträgers innerhalb der Transistoren zu erreichen. Zu diese ZielNano-Strukturierung zu erzielen ist angewandt.

DECISIF baut eine Brücke von der Grundlagenforschung des belasteten Silikons zum fast einsatzbereiten Prozess auf. Das neue belastete Silikon und die vorhandene Silikon-aufisolator Technik Kombinierend, wird eine neue materielle Generation auf Industrie-kompatiblen 300 mm-Wafers entwickelt. Diese Wafers versehen die Basis für zukünftige Einheitstechnologien und die Transistoren mit bis 22 nm Minimumgeometrie.

Last Update: 14. January 2012 09:36

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