應用的開發 TSVs 製造的薄酥餅變薄的進程的材料和迪斯科在三維半導體

Published on March 30, 2009 at 7:44 AM

Applied Materials, Inc. 和 DISCO Corporation 今天宣佈了共同努力開發製造的通過硅 vias 薄酥餅變薄的進程 (TSVs)在三維的 (三維) 半導體。 二家公司共同努力開發打算的集成,高性能流程降低費用,減少這種風險和加速上市時間的客戶的下一代籌碼。

通過硅通過技術是由垂直疊加籌碼啟用在一個更小的腳印的更加高密度,更加低功率的設備的一個新的方法。 在熱量和機械重點半導體處理期間,要做此三維棧,在厚度必須減少按 90% 和與一個臨時承運人結合每塊籌碼或薄酥餅層為了維護結構上的完整性。

結合迪斯科的精確度研的設備與應用的銘刻、電介質證言、實際蒸氣噴鍍和化工機械 planarization 系統,二家公司期望開發與硅和玻璃承運人被結合的薄酥餅的薄酥餅變薄的和之後變薄的進程。 某些在開發製造值得的設備和進程解決方法的關鍵技術需要是結構上的薄酥餅并且接近完整性,處理,尺寸控制、微粒控制、壓力處理和熱量配置文件控制。

「應用的處理綜合化專門技術和我們主導的薄酥餅弱功能系統的聯盟是計劃的芯片製造商的了不起的新聞使用 TSV 技術」, Nobukazu Dejima, DISCO HI-TEC America, Inc. 的總統說 「這個功能驗證使用變薄的薄酥餅的完全流程在我們的 Santa Clara 研究實驗室,并且被應用的 Maydan 技術中心提供我們唯一機會利用變薄的薄酥餅的好處在多個 TSV 綜合化模式的」。

「我們高興地與迪斯科一起使用提前此扣人心弦,并且製造混亂的技術」,技術軍官說漢斯鸛、組副總裁和院長應用的硅系統組的。 「我們的合作的方法與迪斯科和其他主導的設備供應商是做可能提供穩健解決方法緩和我們的客戶』風險和降低設備製造的總成本在超薄的基體的生意一個創新方式」。

Last Update: 24. January 2012 12:55

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