El Instituto de Fraunhofer para las Telecomunicaciones HHI Pone la Pedido para el Sistema del MOCVD de IC de AIXTRON

Published on March 31, 2009 at 3:27 AM

AIXTRON AG anunciaron hoy que en el cuarto trimestre el Instituto de Fraunhofer para las Telecomunicaciones, Heinrich-Hertz-Institut (HHI), Berlín, Alemania, pedida un sistema del MOCVD del AIX 2600G3 IC para el incremento del multi-fulminante del Fosfuro de Indio (InP) basó los dispositivos optoelectrónicos. La herramienta del MOCVD será entregada en una configuración del fulminante de la pulgada 8x4 y ser expidido en el tercer cuarto de 2009. La herramienta será una contribución esencial más lejos a desarrollar las capacidades del departamento Fotónico de los Componentes del instituto.

Norberto Grote, jefe de servicio del departamento componente fotónico, dice: “El incremento fuerte de la transmisión de información relacionada de la fase, así como la demanda para las soluciones del optochip del WDM en los costos razonables, crea una necesidad enorme de circuitos integrados fotónicos. Creemos que pronto más el de 50% del área del fulminante de HHI serán una cierta clase de solución integrada. Nos sentimos confiados que el sistema pedido del AIX 2600G3 IC aumentará nuestras capacidades del MOCVD a un suficiente nivelado durante muchos años venir.”

Harald Kuenzel, arranque de cinta del grupo de la epitaxia de HHI, comenta: “Hemos estado haciendo el revelado del photonics del INP por más de dos décadas. Nuestras herramientas primarias de la investigación han sido los reactores horizontales del AIX 200 y del AIX 200/4 MOVPE que han satisfecho hasta ahora nuestros requisitos. Ahora nuestro programa ha alcanzado la punta donde necesitamos desplegar nuestra capacidad y mejora del epi a la última tecnología en términos de capacidad de la uniformidad y del multi-fulminante del área. Nuestros clientes industriales son cada vez más afilados en ver progresos del dispositivo del R&D para ser obedientes con las herramientas avanzadas de la producción. Después de revisar todas las opciones disponibles detectaremos de nuevo la mejor herramienta del MOCVD adecuada para nuestras necesidades de AIXTRON. Ha sido nuestra experiencia que estos sistemas proporcionan a reproductibilidad y a uniformidad excelentes más una adaptabilidad de la configuración que permita que logremos rápidamente alta calidad del dispositivo.”

En HHI, la investigación sobre componentes fotónicos reviste aplicaciones de las telecomunicaciones y del datacom y los sensores ópticos y la instrumentación e.g para el control del medio ambiente médico y. Esto implica el incremento del MOCVD de las estructuras del diodo láser, del detector y del modulador en los 1200 nanómetro al rango espectral de 1900 nanómetro. El nuevo reactor de AIXTRON será utilizado para el bulto-InGaAsP, las estructuras también uno mismo-ensambladas de QW-InGaAsP-, de QW-InGaAlAs-, y de InAs del quantum punto basado.

Last Update: 17. January 2012 02:29

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