加速 TSV 和 3D 综合化技术的采用的 CEA/Leti 和 EV 组

Published on April 1, 2009 at 9:52 AM

EV 组 (EVG),薄酥饼 MEMS 的,纳米技术和半导体市场接合和石版印刷设备的主导的供应商,今天宣布它进入了与 CEA/Leti 的 (JDP)联合开发程序 -- 其中一个着重微电子学和纳米技术的欧洲的使有名望的研究实验室。 EVG,早领导先锋通过硅通过 (TSV)和 3D 综合化技术,将提供 CEA/Leti 以其国际水平, 300 mm 临时接合和 debonding 的技术。 第一个系统在 5月将被发运。 联合开发工作将着重进一步开发这些技术和进程加速 TSV 技术的持续的采用 -- 给出其被展示的好处,包括高性能,增加了功能、更小的脚印和低功率冲减。

更多功能,低功率

闪存和图象传感器继续导致实施 3D IC/TSV 技术的充电由于设备结构和需求的复杂对更多功能与低功率。 在展示有效, manufacturable 可堆叠的互联技术,专家项目 TSV 采用密集增长扩展到各种各样的先进的集成电路应用的今后几年。 此联合开发程序带领另一个关键措施对准备集成设备制造商和铸造厂充分地实施 3D 综合化技术和进程到他们的生产线和带来这技术的好处给一全球工业规模。

“我们非常高兴地与 EVG 一起使用--不仅为他们的处理他们给表带来,补充我们自己的技术在此域”的技术系统的证明的接合/debonding 和稀薄薄酥饼,而且为极大的后勤和专门技术在工具为 TSV 技术和 3D 综合化在 Leti 尼古拉斯 Sillon、实验室的负责人先进包装的和 3D 说综合化。 “TSV 和 3D 综合化被证明是一个可行的解决方法到在先进的设备性能的一个重要路障。 同时我们可以继续打开此技术潜能保证大容积应用的普遍商品化”。

成功的结果

评论对今天声明,斯蒂芬 Pargfrieder, EVG 的业务发展经理注意, “CEA/Leti 是一个世界领导人在加速的新兴技术对普遍市场采用。 我们兴奋与这样一个有名望的机构一起使用,并且相信他们的专门技术对此 JDP 和推进 TSV 和 3D 技术将是关键的今后在市场。 我们看见增加号码大容积制造商测试此技术的实施在他们的生产线的,并且与 CEA/Leti 的此共同努力将是有助的在保持此正势头”。

此合作也加强在酿酒者科学、 EVG 和 Leti 之间的现有和被设立的联合开发活动。 最终,它举例证明在材料、设备和进程专门技术之间的共同作用和进一步启用增值产品和技术在生长 3D IC/TSV 技术领域,以及临时接合和 debonding 的技术的其他潜在的用户。

使用他们的 TSV 技术和进程, CEA/Leti 和 EV 组已经开始了在这个项目的工作和导致了在 3D 应用的成功的结果。

Last Update: 14. January 2012 03:21

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