Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

Диамант sp3 Принимая Заказы для 4 дюймов Кремния 2-дюймовых и на Вафлях Диаманта

Published on April 14, 2009 at 8:26 AM

sp3 Диамант Технологии, Inc., ведущий поставщик продуктов фильма диаманта, оборудования и обслуживаний, сегодня объявило что оно принимает заказы для 4 дюймов кремния 2-дюймовых и на вафлях (SOD) диаманта для пользы как субстраты Нитрида Галлия (GaN) и ускоряя ход развития вафель 6 дюймов для пользы по мере того как боково отраженные субстраты полупроводника окиси (LDMOS) металла. вафли SOD sp3 поставляют более высокую термальную проводимость на алтернативах недорог чем существующих карбида кремния (SiC) для GaN и для приборов высокого класса исполнения LDMOS из-за улучшенной термальной проводимости над традиционными вафлями кремния.

вафли SOD sp3 поставляют путь высокой эффективности для приборов конструированных для базовых станций WiMax и других коммерчески и воинских применений переключения broadband и наивысшей мощности. Это включило бы коммуникационное оборудование радиолокатора, оборудование погоды и спутник связи и приборы переключения силы гибрида. предлагать sp3 новый изыскивает адресовать настоящие ограничения представления этих приборов, по мере того как они будут все больше и больше плотно сжатыми термальными ограничениями вафель кремния или весьма представления цены и низких вафель SiC.

«Высокомощные, высокочастотные приборы - как радиолокатор наивысшей мощности и усилители RF, и DC к DC и AC к конвертерам DC - имеют ограничения представления должные к физической структуре стандартных субстратов кремния,» сказал Dwain Aidala, президент и COO Технологий Диаманта sp3. «Стоят, что помогают Воинские и промышленные применения значительно от приборов здания на субстрате диаманта с качеством прибора, слоем тонкого кремния верхним. Приборами GaN или LDMOS построенными на таком составленном субстрате можно управлять к уровням значительно более высокой силы чем настоящими алтернативами, таким образом увеличивая представление. вафли SOD sp3 поставляют ведущее в отрасли представление, масштабируемые до 300 mm и доступны на недорогом чем разрешения диамант-основанные алтернативой или традиционные субстраты SiC.»

Вафли SOD поставлены как составленные субстраты с верхним слоем кремния поплавк-зоны прибор-качества. Они обеспечивают жару диаманта распространяя сразу под соединением и могут достигнуть больше чем увеличение 100 процентов в уровнях силы сравненных к субстратам кремния самостоятельно, и увеличения процентов 50-80 сравнивано к SiC, на фикчированной температуре соединения. На фикчированной силе, они могут уменьшить температуру соединения больше чем 50 градусами сравненными к GaN на кремнии или SiC. Рост GaN на SOD производит фильмы epi соответствующие к GaN на кремнии, и sp3 может вычислить по маштабу размер вафли до 300 mm.

4 дюймов SOD вафли 2-дюймовых и с слоем кремния верхним в настоящее время доступны для приборов GaN, так же, как с эпитаксиальным слоем GaN (GaN на вафлях SOD) для тех изготовлений без эпитаксиальной возможности низложения внутренней. Время Выполнения Заказа На Новую Продукцию и оценка зависел на томе; заинтересованные клиенты должны контактировать sales@sp3inc.com для больше информации.

Last Update: 14. January 2012 08:49

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit