sp3 接受 2 英寸和 4 英寸硅的金刚石命令在金刚石薄酥饼

Published on April 14, 2009 at 8:26 AM

sp3 Diamond Technologies, Inc.,金刚石影片产品,设备和服务的主导的供应商,今天宣布它接受 2 英寸和 4 英寸硅的命令在 (SOD)使用作为镓氮化物 (GaN) 基体和 6 英寸薄酥饼的加速的发展的金刚石薄酥饼为使用,侧向地散开的金属氧化物半导体 (LDMOS)基体。 sp3 草皮薄酥饼提供更高的导热性在更加低价比现有的碳化硅 (SiC) 由于在传统硅片的被改进的导热性选择 GaN 的和高性能 LDMOS 设备的。

sp3 草皮薄酥饼传送为 WiMax 基地和其他商业和军事宽频和大功率切换应用设计的设备的一个高性能路径。 这将包括雷达通讯设备、天气和通信卫星设备和杂种功率切换设备。 当他们变得越来越影响由硅片或极其费用的热量限制和低性能 SiC 薄酥饼, sp3 新提供寻求解决这些设备的当前性能限制。

“威力强大,高频率设备 - 例如大功率雷达和 RF 放大器和 DC 对 DC 和 AC 对 DC 交换器 - 有性能限制由于标准硅体物理结构”, Dwain Aidala, sp3 金刚石技术的总统和 COO 说。 “军事和行业应用突出从在金刚石基体的大厦设备极大有益于与设备质量,稀薄的硅顶层。 在这样一个构建的基体建立的 GaN 或 LDMOS 设备比当前选择可以被驱动到显着更大的功率级别,从而最大化性能。 sp3 草皮薄酥饼比替代基于金刚石的解决方法或传统 SiC 基体提供领先业界的性能,是可升级的 300 mm 并且是可用的在一低价”。

草皮薄酥饼被传送作为与设备质量浮动区域硅一个顶层的构建的基体。 他们比在功率电平的一个 100% 增量提供分布直接地在这个连接点下的金刚石热,并且可以取得更多与单独硅体比较和 50-80% 增量,当与 SiC 比较,在固定的结温。 在固定的功率,他们可以由超过 50 度减少结温与在硅或 SiC 的 GaN 比较。 在草皮的 GaN 增长产生 epi 影片等同与在硅的 GaN,并且 sp3 可能称薄酥饼范围 300 mm。

与硅顶层的 2 英寸和 4 英寸草皮薄酥饼是现在可以得到的为 GaN 设备,以及与 GaN 外延层 (在草皮薄酥饼的 GaN) 为那些制造商没有内部一个外延证言功能。 提前期和定价依靠数量; 感兴趣客户应该与 sales@sp3inc.com 联系对于更多信息。

Last Update: 14. January 2012 02:14

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