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sp3 接受 2 英寸和 4 英寸硅的金剛石命令在金剛石薄酥餅

Published on April 14, 2009 at 8:26 AM

sp3 Diamond Technologies, Inc.,金剛石影片產品,設備和服務的主導的供應商,今天宣佈它接受 2 英寸和 4 英寸硅的命令在 (SOD)使用作為鎵氮化物 (GaN) 基體和 6 英寸薄酥餅的加速的發展的金剛石薄酥餅為使用,側向地散開的金屬氧化物半導體 (LDMOS)基體。 sp3 草皮薄酥餅提供更高的導熱性在更加低價比現有的碳化硅 (SiC) 由於在傳統硅片的被改進的導熱性選擇 GaN 的和高性能 LDMOS 設備的。

sp3 草皮薄酥餅傳送為 WiMax 基地和其他商業和軍事寬頻和大功率切換應用設計的設備的一個高性能路徑。 這將包括雷達通訊設備、天氣和通信衛星設備和雜種功率切換設備。 當他們變得越來越影響由硅片或極其費用的熱量限制和低性能 SiC 薄酥餅, sp3 新提供尋求解決這些設備的當前性能限制。

「威力強大,高頻率設備 - 例如大功率雷達和 RF 放大器和 DC 對 DC 和 AC 對 DC 交換器 - 有性能限制由於標準硅體物理結構」, Dwain Aidala, sp3 金剛石技術的總統和 COO 說。 「軍事和行業應用突出從在金剛石基體的大廈設備極大有益於與設備質量,稀薄的硅頂層。 在這樣一個構建的基體建立的 GaN 或 LDMOS 設備比當前選擇可以被驅動到顯著更大的功率級別,從而最大化性能。 sp3 草皮薄酥餅比替代基於金剛石的解決方法或傳統 SiC 基體提供領先業界的性能,是可升級的 300 mm 并且是可用的在一低價」。

草皮薄酥餅被傳送作為與設備質量浮動區域硅一個頂層的構建的基體。 他們比在功率電平的一個 100% 增量提供分佈直接地在這個連接點下的金剛石熱,并且可以取得更多與單獨硅體比較和 50-80% 增量,當與 SiC 比較,在固定的結溫。 在固定的功率,他們可以由超過 50 度減少結溫與在硅或 SiC 的 GaN 比較。 在草皮的 GaN 增長產生 epi 影片等同與在硅的 GaN,并且 sp3 可能稱薄酥餅範圍 300 mm。

與硅頂層的 2 英寸和 4 英寸草皮薄酥餅是現在可以得到的為 GaN 設備,以及與 GaN 外延層 (在草皮薄酥餅的 GaN) 為那些製造商沒有內部一個外延證言功能。 提前期和定價依靠數量; 感興趣客戶應該與 sales@sp3inc.com 聯繫對於更多信息。

Last Update: 24. January 2012 14:12

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