SEMATECH-Experten, zum des Beträchtlichen Fortschritts auf SchlüsselTechnologien der Nächsten Generation an VLSI-TSA Darzustellen

Published on April 26, 2009 at 7:42 PM

Experten vom Vorderseite-Prozessprogramm (FEP) SEMATECHS stellen DurchbruchForschungsresultate in hoch entwickelter Logik und zukünftige nichtflüssige Technologien am Internationalen Symposium auf VLSI-Technologie, Anlage und Anwendungen (VLSI-TSA) am 27.-29. April 2009 am Botschafter Hotel in Hsinchu, Taiwan dar. Die Papiere berichten über Fortschritt in den Bereichen wie nächster Generation hoch--K/Metalltor (HKMG)materialien, hoch entwickelter Flash-Speicher, planare und nicht planare CMOS-Technologien und HKMG-Defektmetrologie.

„Durch kooperative Forschung, ist unser Ziel sich zu entwickeln und innovative neue Materialien und Einheitszellen kennzeichnen, die Skalierungslogik, Speicher und auftauchende Technologien aktivieren,“ sagte Jammy Raj, Vizepräsidenten SEMATECHS von auftauchenden Technologien. „Arbeit SEMATECHS hat immer Innovation mit praktischen Lösungen gemischt, um die Industrie vorwärts zu verschieben. Wir sind glücklich, unsere Ergebnisse mit einer herrlichen Gemeinschaft von den Technologen zu teilen, die in Taiwan zusammengebaut werden, das eine in zunehmendem Maße beträchtliche Rolle spielt, wenn es antreibt die Halbleiterindustrie in Richtung zu den zukünftigen Generationen.“

Montag, den 27. April

  • La-Lackiertes Metall/Hoch--K nMOSFET für Sub-32nm HP und LSTP-Anwendung - Forscht die Eignung von nMOSFETs mit dem La-Lackierten hoch--K/Metalltorstapel nach, um seine Eignung für sub-32nm niedrige Anwendungen Reserveleistung zu sehen (LSTP) und Hochleistung.
  • Ausdehnendes spektralanalytisches ellipsometry für Kennzeichen von elektrisch aktiven Defekten in den Si/SiO2/high-k/metal Torstapeln - Erforscht eine neue Methode unter Verwendung spektralanalytischen ellipsometry, um der Sauerstofffreien stelle in der unteren Zwischenflächen- Schicht SiO2 der eingestuften hoch--K/Metalltorstapel nichtinvasiv zu kennzeichnen Defekte.
  • Zuverlässigkeit Einschätzung von Niedriges Vt-Metall-Hoch--K Tor-Stapeln für Hochleistungs-Anwendungen - Beschreibt von den Zuverlässigkeitskennzeichnungstechniken und -baumustern, die HKMG-Lebenszeitvorhersagen anvisieren.
  • Additive Mobilitäts-Verbesserung und Sperrstrom-Reduzierung in SiGe Kanalisieren pMOSFETs mit Optimierter Si-Schutzkappe und Hoch--K MetallTor-Stapeln - Demonstriert hohe Mobilität pMOSFETs mit Epitaxial- SiGe-Filmen der hohen Qualität, die selektiv auf (gewachsen werden 100) Substratflächen des Si.

Mittwoch, den 29. April

  • Versehen Sie Ausgeführte Tunnel-Oxide für Verbessertes TANOS-artiges Grelles Programm/Löschen mit Guter Speicher-und der Schleifen-100K Ausdauer mit einem Band - Demonstriert zum ersten Mal dass die Band-ausgeführten Tunneloxide, die mit einem hoch--K/Metalltor integriert werden, Programm, Löschen und Ausdauer in Ladung-aufgefangenen Flash-Speicher-größtintegrierten Speicherbauelementen verbessern können.
  • Hohes Mobilität SiGe-Shell-Si Kern-Omega-Tor PFETs - Erforscht den Gebrauch von Tor-artigen pFETs Omegas mit einem SiGe-Shell (hoher Mobilitätskanal) auf einem Sikern.

Als die Brücke zwischen R&D und Herstellung, SEMATECH-Antriebe vorwettbewerbliche Zusammenarbeit und Zusammenarbeit Dienen, die Kommerzialisierung von nanoelectronics und von Nanotechnologie zu beschleunigen. FEP-Ingenieure SEMATECHS werden auf das Entwickeln von neuen Techniken für das Ausdehnen von hoch--K Dielektrika, von Metalltoren, von hohen Mobilitätskanälen und von fortschrittlichen Zweikanalmagnetbandelementen gemeinsam mit Bauteilfirmen, Universitäten, nationalen Labors und Lieferantenpartnern gerichtet.

Das Internationale Symposium auf VLSI-Technologie, Anlagen und Anwendungen (VLSI-TSA) wird vom Institut von Elektrischem und von den Elektroingenieuren (IEEE), ein führender Berufsverband für die Förderung der Technologie, in Verbindung mit Taiwans Industrietechnik-Forschungsinstitut gefördert (ITRI). VLSI-TSA ist eins vielen Gebrauches der Industrieforen SEMATECH, mit Wissenschaftlern und Ingenieuren von den Gesellschaften, von den Universitäten und von anderen Forschungsinstitutionen zusammenzuarbeiten.

Last Update: 14. January 2012 07:06

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit