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SEMATECH 전문가 VLSI - TSA에서 주요 차세대 기술에 큰 진전을 제시

Published on April 26, 2009 at 7:42 PM

의 전문가 SEMATECH 의 프런트 엔드 프로세스 (FEP)이 프로그램은 4월 27일부터 29일까지, 2009 VLSI 기술, 시스템 및 응용 프로그램 (VLSI - TSA)에 관한 국제 심포지엄에서 고급 논리와 미래의 비휘발성 기술 부분에서 획기적인 연구 결과를 제공합니다 Hsinchu, 대만에있는 앰버서더 호텔. 이러한 차세대 high-k/metal 게이트 (HKMG) 재료, 고급 플래시 메모리, 평면이 아닌 평면 CMOS 기술과 HKMG 결함 계측 등의 분야에서 신문보고 진행.

"공동 연구를 통해 우리의 목표는 스케일링 로직, 메모리 및 신흥 기술을 사용 최첨단 신소재 및 장치 구조를 개발하고 특성화하는 것입니다,"주권 Jammy, 새로운 기술의 SEMATECH의 부사 장인 고 말했다. "SEMATECH의 작품은 앞으로 업계를 이동하는 실용적인 솔루션을 항상 섞은 혁신을하고 있습니다. 우리는 미래 세대를 향한 반도체 산업을 추진에서 점점 더 중요한 역할을 대만에서 조립 기술자의 8 월 커뮤니티와 우리의 결과를 공유하는 행복합니다. "

4월 27일 (월요일)

  • 라 - 도핑된 금속 / 서브 32nm HP와 LSTP 응용 프로그램에 대한 높은 K NMOSFET가 - 서브 32nm 낮은 대기 전력 (LSTP)과에 대한 적합성을 볼 라 - 도핑된 high-k/metal 게이트 스택과 함께 nMOSFETs의 적합성을 조사 고성능 응용 프로그램.
  • Si/SiO2/high-k/metal 게이트 스택의 전기적 활성 결함 식별 spectroscopic 타원 편광 반사 측정법을 확장하는 것은 - 비 invasively 스케일 하이 - K / 하단의 계면 SiO2 레이어에 산소 결원 결함을 식별하는 spectroscopic 타원 편광 반사 측정법을 사용하여 새로운 방법을 탐구 금속 게이트 스택.
  • 고성능 애플 리케이션을위한 낮은 VT 메탈 하이 - K 게이트 스택의 신뢰성 평가 - 신뢰성 특성화 기법과 HKMG 수명 예측을 대상으로 모델 설명합니다.
  • 첨가제 이동성 향상 및 최적의시 모자와 하이 - K 메탈 게이트 스택과 SiGe 채널 pMOSFETs에서 오프 상태 전류 감소 - 선택시 (100) 기판에 성장 고품질 에피택셜 SiGe 필름 높은 이동성 pMOSFETs을 보여줍니다.

4월 29일 (수요일)

  • 밴드 잘 보존하고 100K 사이클 내구성과 향상된 TANOS 타입 플래시 프로그램 / 지우기위한 터널 산화물하는 기술 - 처음으로 보여주는, 그 밴드 - 공학 터널 산화물 high-k/metal 게이트와 통합은 프로그램, 삭제를 향상시키고, 수 의 내구성 충전 갇힌 플래시 메모리 장치를.
  • 높은 이동성 SiGe 조개 - 네 코어 오메가 게이트 PFETs -시 코어에 SiGe 쉘 (높은 이동성 채널)와 오메가 게이트 타입 pFETs의 사용을 탐구.

R & D 및 제조 사이의 다리 역할, SEMATECH 사전 경쟁 협력과 nanoelectronics 및 나노기술의 상용화를 가속하기 위해 협력 드라이브. SEMATECH의 FEP 엔지니어는 회원 기업, 대학, 국립 연구소, 그리고 공급 업체 파트너와 공동으로 높은 - K 절연체, 금속 게이트, 높은 이동성 채널, 고급 메모리 기술을 확장하기위한 새로운 기술 개발에 주력하고있다.

VLSI 기술에 관한 국제 심포지엄, 시스템 및 응용 프로그램 (VLSI - TSA)은 대만의 산업 기술 연구소 (ITRI)과 공동으로, 전기 및 전자 기술자 (IEEE)의 연구소, 기술의 발전을위한 선도적인 전문 협회에 의해 후원 . VLSI - TSA는 SEMATECH은 과학자와 엔지니어 기업에서, 대학 및 기타 연구 기관과 협력하는 데 사용하는 많은 산업 포럼 중 하나입니다.

Last Update: 3. October 2011 18:31

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