Peritos de SEMATECH Para Apresentar o Progresso Significativo nas Tecnologias Chaves da Próxima Geração em VLSI-TSA

Published on April 26, 2009 at 7:42 PM

Os Peritos do programa dos Processos da Parte Frontal (FEP) de SEMATECH apresentarão resultados de pesquisa da descoberta em lógica avançada e as tecnologias permanentes futuras no Simpósio Internacional na Tecnologia do VLSI, no Sistema e nas Aplicações (VLSI-TSA) os 27-29 de abril de 2009 no Embaixador Hotel em Hsinchu, Taiwan. Os papéis relatam o progresso nas áreas tais como a próxima geração alta-k/os materiais porta (HKMG) do metal, memória Flash avançada, tecnologias planares e não-planares do CMOS e de defeito de HKMG metrologia.

“Com a pesquisa colaboradora, nosso objetivo é tornar-se e para caracterizar os materiais novos pioneiros e as estruturas do dispositivo que permitem a lógica da escamação, a memória, e tecnologias emergentes,” disse Raj Jammy, o vice-presidente de SEMATECH de tecnologias emergentes. De “o trabalho SEMATECH misturou sempre a inovação com as soluções práticas para mover para a frente a indústria. Nós estamos felizes compartilhar de nossos resultados com uma comunidade august dos tecnólogos montados em Taiwan, que jogue um papel cada vez mais significativo em propelir a indústria do semicondutor para futuras gerações.”

Segunda-feira 27 de Abril

  • Metal La-Lubrificado/nMOSFET Alto-k para Sub-32nm HP e Aplicação de LSTP - Investiga a conformidade dos nMOSFETs com a pilha La-Lubrificada alta-k/do metal porta para ver sua conformidade para aplicações da potência à espera (LSTP) e do elevado desempenho de sub-32nm baixas.
  • Ellipsometry espectroscópica de Alargamento para a identificação de defeitos electricamente activos em pilhas da porta de Si/SiO2/high-k/metal - Explora um método novo usando ellipsometry espectroscópica para identificar não invasora defeitos da vaga do oxigênio na camada SiO2 interfacial inferior das pilhas escaladas altas-k/do metal porta.
  • Avaliação de Confiança de Pilhas Altas-k da Porta do Baixo Metal do Vt para Aplicações do Elevado Desempenho - Descreve das técnicas e dos modelos da caracterização da confiança que visam previsões da vida de HKMG.
  • O Realce Aditivo da Mobilidade e a Redução Actual do Fora-Estado em SiGe Canalizam pMOSFETs com o Tampão Aperfeiçoado do Si e as Pilhas Altas-k da Porta do Metal - Demonstra pMOSFETs altos da mobilidade com os filmes epitaxial de alta qualidade de SiGe crescidos selectivamente em 100) carcaças do Si (.

Quarta-feira 29 de Abril

  • Una Óxidos Projetados do Túnel para o TANOS-tipo Melhorado Programa/Erase do Flash com Boa Resistência da Retenção e do Ciclo 100K - Demonstra, pela primeira vez, que os óxidos faixa-projetados do túnel integrados com uma porta alta-k/metal podem melhorar o programa, o erase, e a resistência em dispositivos de memória Flash carga-prendidos.
  • Porta Alta PFETs da Ômega do Núcleo do SHELL-Si de SiGe da Mobilidade - Explora o uso do porta-tipo pFETs da Ômega com um escudo de SiGe (canal alto da mobilidade) em um núcleo do Si.

Servindo como a ponte entre o R&D e a fabricação, movimentações cooperação pré-competitiva de SEMATECH e colaboração para acelerar a comercialização do nanoelectronics e da nanotecnologia. Os coordenadores do FEP de SEMATECH são centrados sobre desenvolver técnicas novas para estender dieléctricos altos-k, portas do metal, os canais altos da mobilidade, e tecnologias de memória avançadas em colaboração com empresas do membro, universidades, laboratórios nacionais, e sócios do fornecedor.

O Simpósio Internacional na Tecnologia do VLSI, nos Sistemas e nas Aplicações (VLSI-TSA) é patrocinado pelo Instituto de Elétrico e por Engenheiros Electrónicos (IEEE), uma associação profissional principal para o avanço da tecnologia, em colaboração com o Instituto de Investigação Industrial da Tecnologia de Taiwan (ITRI). VLSI-TSA é um de muitos usos dos fóruns SEMATECH da indústria colaborar com os cientistas e os coordenadores dos corporaçõs, das universidades, e das outras instituições de pesquisa.

Last Update: 14. January 2012 04:40

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