Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD

SEMATECH联盟的专家出席VLSI - TSA重点下一代技术方面取得了重大进展

Published on April 26, 2009 at 7:42 PM

从专家SEMATECH联盟的前端工艺(FEP)的计划将呈现突破性的研究成果,在先进的逻辑和未来非易失性技术于2009年4月27-29日,在国际上的超大规模集成电路技术,系统和应用(VLSI - TSA)研讨会在台湾新竹国宾大饭店。下一代high-k/metal门(HKMG)材料,先进的快闪记忆体,平面和非平面CMOS技术及HKMG缺损计量等领域的论文报告进展情况。

“我们的目标是通过合作研究,开发和描述,使缩放逻辑,存储器和新兴技术的前沿的新材料和器件结构,说:”拉吉祥,SEMATECH新兴技术副总裁。 “SEMATECH的工作一直切实可行的解决方案的混合创新,推动行业向前发展。我们很高兴能够分享我们的研究结果,与8月台湾组装的技术人员,发挥了越来越显著的作用,在推动半导体产业对子孙后代的社会。“

4月27日(星期一)

  • La掺杂金属/高k 32纳米HP和LSTP应用NMOSFET - 调查nMOSFETs与La掺杂high-k/metal门栈的适用性,看到它的32纳米的低待机功率(LSTP)和适用性高性能的应用。
  • 扩展光谱椭偏Si/SiO2/high-k/metal栅堆叠电活性缺陷的识别 - 探索一种新的方法,使用椭偏光谱的非侵入性确定氧空位缺陷,在界面的底部二氧化硅层的比例高- K /金属栅堆叠。
  • 低VT金属高性能应用的高k栅堆叠的可靠性评估 - 介绍可靠性表征技术和针对HKMG寿命预测模型。
  • 添加剂流动性增强,并在SiGe通道优化泗第pMOSFETs和高- k金属栅堆叠的断态电流减少 - 演示高品​​质的外延在Si(100)衬底上生长的薄膜硅锗选择性高流动性pMOSFETs。

4月29日(星期三)

  • 带工程改进TANOS型,具有良好的保留和100K循环耐久性的闪存程序/擦除隧道氧化物 - 首次演示,带工程的隧道氧化物与high-k/metal门综合可以提高编程,擦除和在耐力充被困的快闪记忆体装置。
  • 高流动性的SiGe壳硅核心欧米茄门PFETs - 探索欧米茄门型pFETs使用了SiGe壳(高迁移率通道)在Si核心。

作为研发和制造之间的桥梁,SEMATECH推动竞争前的合作与协作,加快纳米电子学和纳米技术的商业化。 SEMATECH的FEP工程师专注于开发新技术,为会员公司,大学,国家实验室和供应商合作伙伴的合作,扩大高k介质,金属栅,高迁移率通道,和先进的内存技术。

的超大规模集成电路技术国际研讨会,系统和应用(VLSI - TSA)主办的电气和电子工程师学会(IEEE)学会,一个领先的技术进步的专业协会,与台湾工业技术研究学院(工研院) 。 VLSI - TSA是SEMATECH联盟的科学家和工程师来自公司,大学,和其他研究机构合作的许多行业论坛之一。

Last Update: 14. October 2011 10:44

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit