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SEMATECH聯盟的專家出席VLSI - TSA重點下一代技術方面取得了重大進展

Published on April 26, 2009 at 7:42 PM

從專家SEMATECH聯盟的前端工藝(FEP)的計劃將目前先進的邏輯和未來非易失性技術,在國際上超大規模集成電路技術,系統和應用(VLSI - TSA)研討會於2009年4月27-29日,在突破性的研究成果在台灣新竹國賓大飯店。下一代high-k/metal門(HKMG)材料,先進的快閃記憶體,平面和非平面CMOS技術及HKMG缺損計量等領域的論文報告進展情況。

“我們的目標是通過合作研究,開發和描述,使縮放的邏輯,存儲器和新興技術的前沿的新材料和器件結構,說:”拉吉祥,SEMATECH新興技術副總裁。 “SEMATECH的工作一直與切實可行的解決方案混合的創新,推動行業向前發展。我們很高興能夠分享我們的研究結果與 8月份台灣組裝的技術人員,發揮了越來越顯著的作用,在推動半導體產業對子孫後代社區“。

4月27日(星期一)

  • La摻雜的金屬 /高k為 32納米的HP和LSTP應用 NMOSFET - 調查 nMOSFETs與 La摻雜 high-k/metal門棧的適用性,看到它的32納米的低待機功率(LSTP)和適用性高性能的應用。
  • 擴展光譜橢偏Si/SiO2/high-k/metal柵堆疊電活性缺陷的識別 - 探索一種新的方法,使用橢偏光譜,非侵入性的確定在界面的底部SiO2的縮放的高- K /層的氧空位缺陷金屬柵堆疊。
  • 低VT金屬高性能應用的高k柵堆疊的可靠性評估 - 介紹了針對 HKMG壽命預測的可靠性表徵技術和模型。
  • 添加劑的流動性增強和在SiGe pMOSFETs泗第優化和高- k金屬柵堆疊的通道關斷狀態電流減少 - 演示與高品質的外延SiGe半導體薄膜選擇性地在Si(100)襯底上生長的高流動性pMOSFETs。

4月29日(星期三)

  • 帶工程改進 TANOS型閃存編程 /擦除具有良好的保留和100K循環耐久性隧道氧化物 - 首次演示,帶工程的隧道氧化物與 high-k/metal門綜合可以提高編程,擦除和在耐力電荷被困的快閃記憶體裝置。
  • 高流動性的SiGe殼矽核心歐米茄門 PFETs - 探索歐米茄門型pFETs使用了SiGe殼(高遷移率通道)在Si核心。

作為研發和製造之間的橋樑,SEMATECH推動競爭前的合作和協作,加快納米電子學和納米技術的商業化。 SEMATECH的FEP工程師專注於開發新技術,為會員公司,大學,國家實驗室,和供應商合作夥伴的協作,擴大高k電介質,金屬柵,高遷移率通道,和先進的內存技術。

的超大規模集成電路技術國際研討會,系統和應用(VLSI - TSA)主辦的電氣和電子工程師協會(IEEE)的研究所,一個領先的技術進步的專業協會,與台灣工業技術研究學院(工研院) 。 VLSI - TSA是SEMATECH聯盟合作,與科學家和工程師來自公司,大學,和其他研究機構使用的許多行業論壇之一。

Last Update: 9. October 2011 09:04

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