Instrumentos de Oxford entusiasmado para anunciar o lançamento de CrystalFlex. Este reactor da Epitaxia da Fase de Vapor do Hidruro (HVPE) da multi-bolacha fornece o controle magnífico do crescimento epitaxial, e oferece uma rota eficaz na redução de custos para a produção de alta qualidade, de rachadura materiais cristal epitaxial livre de GaN, de AlGaN e de AlN do único.
Como uma empresa que principal do mundo nós nos vangloriamos sobre 25 anos de experiência na revelação de processos e de técnicas de HVPE para a produção de novo Agrupe semicondutores compostos dos nitretos III.
Este equipamento é projectado para o R&D ou a produção completa de nitretos do Grupo III com o foco na estabilidade do processo, na reprodutibilidade, e no uso óptimo dos materiais de origem. A configuração flexível do reactor permite utilizadores finais de crescer uma variedade de nitretos do Grupo III com várias espessuras.