诺小组45纳米原位室清洁生产工艺开发的速度最大的HDP CVD Gapfill平台

Published on June 4, 2009 at 10:05 PM

诺发系统公司(纳斯达克股票代码:NVLS )为全球半导体产业的领先供应商,先进的工艺设备,已开发出了速度Max高密度等离子体(HDP)CVD gapfill平台,显着降低亚45纳米,在原位室的清洁生产工艺缺陷密度和控制(OOC)粒子事件。这一过程的关键部件,包括高效率的NF3的交付速度最大的独特的“光明”(辅助线圈)和“黑暗”(远程血浆)清除有效去除目标位置的电影进程的环境内建立和优化。

在45纳米结构的粒子引起的Gapfill空隙。功能的关键尺寸(CD)的顺序上的一个小颗粒可能会导致灾难性gapfill的问题,导致设备故障。

随着设备节点的缩小,存储器和逻辑介质gapfill长宽比是建立一个无缺陷的填充挑战。介电薄膜在沉积过程中坚持中的工艺腔组件可以是一个粒子的来源,并需要有效地定期删除。一个随机的“杀手锏”在gapfill过程中的缺陷事件的发生,可引起晶体管或记忆细胞之间的绝缘隔离失败。表面颗粒可以提供另一个失败的机制,增加在CMP平坦​​化的步骤“划痕”。污染物或互连金属沉积在随后的过程步骤可以填补这些空隙或刮痕,造成细胞之间的高漏电流路径,结果在产量较低或设备故障。这些随机粒子游览,还可以减少非计划停机时间的增加,由于系统的可用性和驱动器增加了监测和资格费用。实现粒子尺寸小于直径90纳米的单一的数字粒子性能将使设备制造商,以提高他们的45纳米产量,但将是一种必然产生的32nm器件。

诺“新速度Max过程,降低了整体粒子加法意味着50%的3倍和OOC事件的一个因素。除了“光明”和“黑暗”的清理,这些结果是启用的恒温环境和耐氟材料,以尽量减少微粒“脱落”,作出了重要贡献随机粒子事件。这种多步清洁的一个额外的好处是在三氟化氮的使用量减少,进一步降低客户的成本。

“诺”的技术总监,Gapfill业务单位速度最大的独特的45nm工艺和硬件显著减少颗粒加法器和OOC事件,在gapfill过程中说:“道海登。 “这一最新的创新是通过改善他们的系统正常运行时间和降低其NF3的消费,减少客户的运营成本的今天。”

诺HDP - CVD gapfill技术的更多信息,去www.novellustechnews.com。

Novellus的速度Max系统扩展到45和32纳米技术节点HDP - CVD应用程序。该系统的恒温室的设计,结合远程等离子体源,允许更多的晶圆之间的血浆清除处理,并提供出色的吞吐量,每个系统。此外,速度Max多口喷射,连同隔离源技术,定制的沉积和原位最佳的薄膜的厚度和整个晶圆gapfill均匀的蚀刻轮廓。

Novellus Systems公司(纳斯达克股票代码:NVLS)是一种先进的工艺设备,为全球半导体行业的领先供应商。该公司的产品提供价值给客户提供值得信赖的生产力的创新技术支持。标准普尔500强公司,诺发公司是总部设在加利福尼亚州圣何塞市与世界各地的附属公司办事处。欲了解更多信息,请访问www.novellus.com

Last Update: 3. October 2011 14:02

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