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Posted in | Nanoelectronics

Experten Stellen Neue Forschungsresultate in Hoch entwickeltem Tor-Stapel, in den Hohen Mobilitäts-Kanälen und 3D in der Verbindung TSVs zur Schau

Published on June 15, 2009 at 7:17 AM

SEMATECH, das globale Konsortium von führenden Halbleiterherstellern, hat Führung beim sich Entwickeln fortgesetzt und mit filter versehen, und neue Materialien kennzeichnend, werden Hilfsmittel und Prozesse, die CMOS-Skalierung und auftauchende Technologien aktivieren, weiter während des VLSI-Technologie-Symposiums 2009 am 15.-17. Juni 2009, im Königlichen Hotel Rihga in Kyoto, Japan demonstriert.

In einem Prüfungsinhalt haben Technologen vom Programm Materialien SEMATECHS und der Auftauchenden Technologien beträchtliche Reduzierungen in der Schottky-Sperrenhöhe und -Durchgangswiderstand demonstriert, die für anhaltende Verbesserung der Einheitsleistung in den zukünftigen Technologieknotenpunkten kritisch sind.

Da die Gradeinteilung fortfährt, ist eins des Drückens von Interessen von CMOS-Technologie über dem 45 nm Knotenpunkt hinaus der Durchgangswiderstand in den Quell-/Ablassregionen, das von einer verhältnismäßig hohen Schottky-Sperre zwischen N-artiges lackiertes Si und Nickelsilicid kommt. SEMATECH-Forscher umreißen neuen Fortschritt in der Erforschung von alternativen Schnittstellenzellen, der Verringerung der parasitären Widerstände der Quelle und der Ablassregionen und Mobilität verbessernd.

„Durch intensive Forschung und Entwicklung Bemühungen, SEMATECH hat manufacturable Lösungen mit neuen Materialien und Schnittstellen entwickelt, die Quelleablaß parasitären Widerstand verringern. Diese praktischen Implementierungsanflüge aktivieren Zukunft fortgeschrittenes Tor und Hochmobilität Kanäle,“ sagte Jammy Raj, Vizepräsidenten SEMATECHS von auftauchenden Technologien. „Wir fahren fort, CMOS-Technologie zu den Grenzen zu drücken, während wir prüfen die Möglichkeit von auftauchenden zukünftigen Technologien.“

SEMATECH getriebene Förderungen in den Materialien und in der Einheitszelle werden am Symposium, einschließlich das folgende markiert:

  • Eine eben angebotene Fokussitzung, „Integration 3D-System,“ entbindet Direktor SEMATECHS des Programms der Verbindung 3D, Sitaram Arkalgud, ein eingeladenes Gespräch, welches die Bedeutung von Integration 3D TSV für zukünftige Technologiegenerationen markiert.
  • Eine sachverständige Podiumsdiskussion, „Schlüsseltechnologie-Optionen für 16 nm CMOS und Jenseits - das Niederreißen der Sperren“ enthält Jammy Raj SEMATECHS.
  • Das Panel „Ist TSV 3D HOCHINTEGRATION, Schließlich Betriebsbereit und Verpacken oder Ist Es Gerade Eine Andere Fantasie? ,“ mäßigte sich durch Sitaram Arkalgud, anspricht die Frage, von der Anwendungen die Entwicklung von TSVs treiben.

Zusätzlich stellen Experten vom Programm Materialien SEMATECHS und der Auftauchenden Technologien sechs technische Referate dar:

  • Versehen Sie Erste Hoch--K/MetallTor-Stapel mit Nullsiox-Schnittstelle mit einem Gatter, die EOT=0.59nm für Anwendung 16nm Erzielt - Demonstriert zum ersten Mal ein HfOx-Filme mit einer null niedrig--K SiOx-Schnittstelle hat bessere Ersteigbarkeit als exotische höhere-K Materialien und ist eine praktische, ersteigbare Option für heutige industriekompatible HF-Basierte hoch--K Filme.
  • Vth-Variante und Spannungs-Regelung von Dünnen SiGe Kanälen des Hoch-Ge% bis zum Millisekunde Tempern die Verwirklichung von Hochleistung pMOSFET Über Knotenpunkt 16nm hinaus - Erforscht Schlüsselparameter für Steuerungsschwellwertspannungsvariante und Spannungspflege von Tor ersten SiGe-Kanal pMOSFETs.
  • Selektive Phasen-Modulation von NiSi Unter Verwendung der N-IonEinpflanzung für Hochleistungs-Dopant Getrennte Quell-/Ablaß NKanal MOSFETs - Forscht Phase-moduliertes Ni-Doppelsilicid für die Verringerung der Schottky-Sperre und der Serie Widerstands in Dopant-getrennten Quell-/Ablaß nMOSFETs nach.
  • CMOS-Bandkante-Schottky-Sperren-Höhen Unter Verwendung des Nichtleiter-Dipols Schwächten (DDM) Metal/Si für Quelle/Ablass-Durchgangswiderstand-Reduzierung ab - Demonstriert zum ersten Mal die Schottky-Sperrenhöhe, die unter Verwendung Zwischenflächen- SiO2 justiert und verdoppelt hoch--K Dielektrika.
  • Ein Ersteigbares und In Hohem Grade Einzelnes MetallTor Manufacturable/Hoch--K EINE CMOS-Integration für Sub-32nm Technologie für LSTP-Anwendungen - Entwürfe eine einfache, ersteigbare Tor-erste Integrationsoption für herstellende hoch--K Metalltor CMOS-Transistoren anvisiert für sub-32nm niedrige Reserveleistungsanwendungen.
  • Vorrichtungen für Niedrigen Durchlassstrom von nMOSFETs GEs (SiGe): Eine Vergleichsstudie auf Tor-Stapel, Widerstand und Orientierung-Abhängigen Effektiven Massen - Berichte die Ergebnisse einer systematischen Studie, zum der niedrigen Ansteuerungsströme zu verstehen beobachteten in den GE-Basierten nMOSFETs.

Das Internationale Symposium auf VLSI-Technologie, Technologie und Schaltungen wird von den IEEE-Elektron-Einheits- und Festkörperschaltkreisgesellschaften und von der Japan-Gesellschaft der Angewandten Physik in Zusammenarbeit mit dem Institut von Elektronik-, Informations-und Nachrichtenübermittlungs-Ingenieuren gefördert. VLSI Japan ist einer vielen Gebrauches der Industrieforen SEMATECH, mit Wissenschaftlern und Ingenieuren von den Gesellschaften, von den Universitäten und von anderen Forschungsinstitutionen, viele zusammenzuarbeiten von, sind wem Forschungspartner.

Last Update: 14. January 2012 03:26

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