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Posted in | Nanoelectronics

Risultati della Ricerca della Vetrina degli Esperti Nuovi nella Pila Avanzata del Portone, negli Alti Canali di Mobilità e 3D nell'Interconnessione TSVs

Published on June 15, 2009 at 7:17 AM

SEMATECH, il consorzio globale dei produttori principali a semiconduttore, ha continuato la direzione nello sviluppo, schermando e caratterizzando i nuovi materiali, gli strumenti ed i trattamenti che permettono alle tecnologie di operazione di disgaggio e di emergenza di CMOS più ulteriormente saranno dimostrati durante il Simposio 2009 della Tecnologia di VLSI il 15-17 giugno 2009, all'Hotel Reale di Rihga a Kyoto, il Giappone.

In un'area di indagine, i tecnologi dai Materiali di SEMATECH ed il programma delle Tecnologie di Emergenza hanno dimostrato le riduzioni significative dell'altezza della barriera di Schottky e della resistenza di contatto che sono critiche per il potenziamento continuato della prestazione dell'unità nei vertici futuri della tecnologia.

Poichè riportare in scala continua, uno dello stampare le preoccupazioni di Tecnologia CMOS oltre il vertice di 45 nanometro è la resistenza di contatto nelle regioni filtro/di sorgente, che viene da una barriera relativamente alta di Schottky fra il Si ed il siliciuro verniciati N tipi del nichel. I ricercatori di SEMATECH descriveranno il progresso recente nell'esplorazione delle strutture alternative dell'interfaccia, nella diminuzione delle resistenze parassitarie della sorgente e delle regioni del filtro e nel miglioramento della mobilità.

“Con gli sforzi intensi di ricerca e sviluppo, SEMATECH ha trovato le soluzioni manufacturable con i nuovi materiali ed interfacce che diminuiscono la resistenza parassitaria del sorgente-filtro. Questi approcci pratici di implementazione permettono al portone avanzato futuro e canali di alto-mobilità,„ ha detto Raj Jammy, il vice presidente di SEMATECH delle tecnologie di emergenza. “Stiamo continuando a spingere la Tecnologia CMOS nei limiti, mentre verifichiamo la possibilità di tecnologie di prossima generazione emergenti.„

Gli avanzamenti guidati SEMATECH in materiali e struttura dell'unità saranno evidenziati al simposio, compreso quanto segue:

  • Una sessione recentemente offerta del fuoco, “Integrazione 3D-System,„ il Direttore di SEMATECH del programma di interconnessione 3D, Sitaram Arkalgud, consegnerà una conversazione invitata che evidenzia l'importanza di integrazione di 3D TSV per le generazioni future della tecnologia.
  • Una tavola rotonda esperta, “le Opzioni di Tecnologia Chiave per 16 nanometro CMOS e Di Là - Eliminare le Barriere„ includerà il Raj di SEMATECH Jammy.
  • Il comitato “È LSI di TSV 3D ed Imballare Definitivo Pronto o È Appena un'Altra Fantasia? ,„ co-ha moderato da Sitaram Arkalgud, rivolgerà la domanda di cui le applicazioni stanno determinando lo sviluppo di TSVs.

Ulteriormente, gli esperti dai Materiali di SEMATECH ed il programma delle Tecnologie di Emergenza presenteranno sei relazioni tecniche:

  • Gate le Prime Pile del Metallo/Alte--K Portone con l'Interfaccia Zero di SiOx che Raggiunge EOT=0.59nm per l'Applicazione 16nm - Dimostra per la prima volta le pellicole di un HfOx con un'interfaccia bassa-K zero di SiOx ha migliore scalabilità che gli più alti-K materiali instabili ed è un'opzione pratica e evolutiva per alle le pellicole alte--K Basate a HF dell'odierno standard industriale.
  • La Variazione di Vth ed il Controllo di Sforzo dei Canali Sottili di Livello Ge% SiGe entro il Millisecondo Temprano la Realizzazione del pMOSFET di Rendimento Elevato Oltre il Vertice 16nm - Esplora i parametri chiave per la variazione di tensione della soglia ed il mantenimento gestenti di sforzo dei primi pMOSFETs del canale di SiGe del portone.
  • Modulazione di Fase Selettiva di Provvisorio di divorzio Facendo Uso di Impianto dello N-Ione per la Sorgente Segregata Dopant di Rendimento Elevato/I MOSFETs N-Manica del Filtro - Studia il siliciuro fase-modulato doppio del Ni per la diminuzione la barriera di Schottky e della serie di resistenza nei nMOSFETs dopant-segregati filtro/di sorgente.
  • Le Altezze della Barriera di Schottky Limite della banda di CMOS Facendo Uso del Dielettrico-Dipolo Hanno Attenuato (DDM) Metal/Si per la Sorgente/la Riduzione della Resistenza Contatto del Filtro - Dimostra per la prima volta l'altezza della barriera di Schottky che sintonizza facendo uso di SiO2 interfacciale e si raddoppiano dielettrici alti--K.
  • Un Portone Singolo del Metallo di Manufacturable Altamente ed Evolutivo/Integrazione Alta--K di CMOS per Tecnologia di Sub-32nm per le Applicazioni di LSTP - Profili portone-prima un'opzione semplice e evolutiva di integrazione per i transistor alti--K fabbricanti di CMOS del portone del metallo mirati a per le applicazioni basse di potenza standby di sub-32nm.
  • Meccanismi per la Corrente Bassa dello Su Stato dei nMOSFETs di GE (SiGe): Uno Studio Comparativo sulla Pila del Portone, sulla Resistenza e sulle Masse Effettive Orientamento-Dipendenti - i Rapporti i risultati di uno studio sistematico per capire le correnti di unità bassa hanno osservato nei nMOSFETs GE GE.

Il Congresso Internazionale sulla Tecnologia di VLSI, la Tecnologia e Circuiti è patrocinato dalle Unità di Elettrone di IEEE e le società Semi condutrici dei Circuiti e la Società del Giappone di Fisica Applicata in collaborazione con l'Istituto degli Ingegneri di Elettronica, di Informazioni e di Comunicazione. Il VLSI Giappone è uno di molti usi dei forum SEMATECH dell'industria collaborare con gli scienziati e gli ingegneri dalle società per azioni, dalle università e da altri centri di ricerca, molti di chi sono partner della ricerca.

Last Update: 17. January 2012 00:11

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