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Ingenieure Beschreiben Neue Technik, um in, HKMG-Transistoren Einzustufen Fortzufahren

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES, die Halbleiter-Produktionsgesellschaft der Welt erste wirklich globale führende, beschrieb heute eine innovative Technologie, die eine der Schlüsselhürden zu voranbringenden hoch--K Metalltortransistoren ausgleichen (HKMG) könnte und der Industrie einen Schritt näher an der nächsten Generation von tragbaren Geräten mit mehr Rechenleistung holen und verbesserte in beträchtlichem Ausmaß Batteriedauer.

Die Halbleiterindustrie wird für das Ausgleichen von scheinbar unüberwindlichen Chancen, um die Tendenz in Richtung in Richtung kleinerem, schneller und zu den Energiesparenderen Produkten fortzusetzen gefeiert. Durchgeführt in Partnerschaft mit IBM durch GLOBALFOUNDRIES' wird Teilnahme an der IBM-Technologie Alliance, die neue Forschung konstruiert, um die anhaltende Gradeinteilung von Halbleiterbauelementen zum 22-nm-Knotenpunkt zu aktivieren und jenseits.

Am Symposium 2009 auf VLSI-Technologie in Kyoto, berichtete Japan, GLOBALFOUNDRIES über die erste Vorführung einer Technik, die die gleichwertige Oxidstärke in (EOT) einem hoch--K Metalltortransistor (HKMG) weit über zur Stufe herunterschrauben lässt, die für den Knotenpunkt 22nm, beim Beibehalten einer Kombination der niedrigen Leckage, niedrige Schwellwertspannungen benötigt wird, und der überlegenen Ladungsträgerbeweglichkeit.

„HKMG ist ein kritisches Bauteil von GLOBALFOUNDRIES' Technologiestraßenkarte,“ sagte Gregg Bartlettbirne, Senior-Vizepräsident der Technologie und der Forschung und Entwicklung. „Diese Entwicklung konnte Abnehmer mit einem anderen Hilfsmittel schließlich versehen, um die Leistung ihrer Produkte, besonders im schnell wachsenden Markt für ultra-tragbare Notizbücher und Smartphones mit erweiterter Batteriedauer zu erhöhen. In Verbindung mit IBM und den Bündnispartnern klopfen wir unsere globale Informationsbank, um neue Technologien zu entwickeln, die unseren Abnehmern erlauben, an der Vorderkante der Halbleiterherstellung zu bleiben.“

Um die Umschaltgenauigkeit eines HKMG-Transistors beizubehalten, muss das EOT der hoch--K Oxidschicht verringert werden. Jedoch erhöht die Verringerung des EOTS den Leckagestrom, der zu einer Zunahme der Leistungsaufnahme eines Mikrochips beitragen kann. GLOBALFOUNDRIES und IBM haben eine neue Technik entwickelt, die diese Sperre ausgleicht und zum ersten Mal gezeigt worden, dass EOT, das weit über zum Knotenpunkt 22nm einstuft, beim Beibehalten der notwendigen Kombination der Leckage, der Schwellwertspannungen und der Ladungsträgerbeweglichkeit erzielt werden kann. Die Ergebnisse wurden erfolgreich durch Fälschung einer N-MOSFET Einheit mit EOT von 0.55nm und ein P-MOSFET mit EOT von 0.7nm demonstriert.

Last Update: 14. January 2012 02:53

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