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Posted in | Nanoelectronics | Nanoenergy

Ingenieros Describa nueva técnica para continuar escala en HKMG Transistores

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES , la primera verdaderamente global de vanguardia empresa de fabricación de semiconductores, calificó hoy de una tecnología innovadora que podría superar uno de los principales obstáculos para avanzar en high-k metal gate (HKMG) transistores, con lo que la industria de un paso más hacia la próxima generación de dispositivos móviles con mayor potencia de cálculo y de la vida muy mejorado de la batería.

La industria de los semiconductores se celebra para la superación de obstáculos aparentemente insuperables para continuar con la tendencia hacia más pequeño, rápido y energéticamente más eficientes. Realizado en colaboración con IBM a través de la participación de GLOBALFOUNDRIES en la Alianza de Tecnología de IBM, la nueva investigación está diseñada para permitir la ampliación continua de los componentes de semiconductores para el nodo de 22 nanómetros y más allá.

En el Simposio 2009 sobre Tecnología VLSI en Kyoto, Japón, GLOBALFOUNDRIES informó la primera demostración de una técnica que permite que el espesor de óxido equivalente (EOT) en una high-k metal gate (HKMG) transistor de escala hasta más allá del nivel necesario para el nodo de 22 nm, mientras que el mantenimiento de una combinación de fuga baja, baja tensión de umbral, y movilidad del portador superior.

"HKMG es un componente crítico de la hoja de ruta de la tecnología de GLOBALFOUNDRIES", dijo Gregg Bartlett, vicepresidente senior de tecnología e investigación y desarrollo. "Este desarrollo podría llegar a ofrecer a los clientes una herramienta para mejorar el rendimiento de sus productos, especialmente en el mercado de rápido crecimiento para ultra-portátiles de ordenadores portátiles y teléfonos inteligentes con la vida de la batería. En conjunto con IBM y los socios de la alianza, estamos aprovechando nuestra base de conocimientos mundiales para el desarrollo de tecnologías avanzadas que permiten a nuestros clientes a mantenerse a la vanguardia de la fabricación de semiconductores ".

Para mantener la precisión de conmutación de un transistor HKMG, el EOT de la capa de óxido de high-k debe ser reducida. Sin embargo, reducir el EOT aumenta la corriente de fuga, que puede contribuir a un aumento en el consumo de energía de un microchip. GLOBALFOUNDRIES e IBM han desarrollado una nueva técnica que supera esta barrera, lo que demuestra por primera vez que la ampliación del EOT muy por encima del nodo de 22 nm se puede lograr manteniendo la combinación necesaria de las fugas, las tensiones de umbral, y movilidad del portador. Los resultados se demostraron con éxito mediante la fabricación de un dispositivo N-MOSFET con EOT de 0.55nm y un P-MOSFET con EOT de 0.7nm.

Last Update: 4. October 2011 10:21

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