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Posted in | Nanoelectronics | Nanoenergy

Descreva engenheiros Nova Técnica para continuar escala no HKMG Transistores

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES , o primeiro do mundo verdadeiramente global de ponta empresa de fabricação de semicondutores, descreveu hoje uma tecnologia inovadora que pode superar um dos obstáculos principais para o avanço high-k metal gate (HKMG) transistores, levando a indústria a um passo de a próxima geração de dispositivos móveis com mais poder de computação e uma bateria muito melhor.

A indústria de semicondutores é celebrado para a superação de obstáculos aparentemente intransponíveis para continuar a tendência de menores, mais rápidos e mais eficientes produtos. Realizada em parceria com a IBM através da participação da GLOBALFOUNDRIES na IBM Tecnologia Alliance, a nova pesquisa é projetado para permitir o dimensionamento contínuo de componentes semicondutores para o nó de 22 nanômetros e além.

No Simpósio de 2009, relativa VLSI Technology, em Kyoto, Japão, GLOBALFOUNDRIES relatou a primeira demonstração de uma técnica que permite que a espessura do óxido equivalente (EOT) em um metal gate transistor high-k (HKMG) de reduzir para bem além do nível necessário para o nó de 22 nm, mantendo uma combinação de vazamento de baixa tensão limiar baixo, e mobilidade do portador superior.

"HKMG é um componente crítico do roteiro GLOBALFOUNDRIES" tecnologia ", disse Gregg Bartlett, vice-presidente sênior de tecnologia e pesquisa e desenvolvimento. "Este desenvolvimento poderia, eventualmente, oferecer aos clientes uma ferramenta que permite melhorar o desempenho de seus produtos, especialmente no mercado de rápido crescimento para ultra-portáteis e smartphones com bateria de longa duração. Em conjunto com a IBM e os parceiros da aliança, estamos tocando nossa base global de conhecimentos para desenvolver tecnologias avançadas que permitirão aos nossos clientes a permanecer na vanguarda da fabricação de semicondutores. "

Para manter a precisão de comutação de um transistor HKMG, a EOT da camada de óxido high-k deve ser reduzida. No entanto, a redução da EOT aumenta a corrente de fuga, o que pode contribuir para um aumento no consumo de energia de um microchip. GLOBALFOUNDRIES ea IBM desenvolveram uma nova técnica que supera essa barreira, mostrando para a primeira vez que EOT escala para muito além do nó de 22 nm pode ser obtida mantendo a combinação necessária de fuga, tensão de limiar e mobilidade do portador. Os resultados foram sucesso demonstrado por meio de fabricação de um dispositivo n-MOSFET com EOT de 0.55nm e um p-MOSFET com EOT de 0.7nm.

Last Update: 21. October 2011 07:48

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