Posted in | Nanoelectronics | Nanoenergy

Iscensätter Beskriver Ny Teknik för att Fortsätta Gradering i HKMG-Transistorer

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES världens för den första riktigt globala det fabriks- företaget framkanthalvledaren, beskrev i dag en innovativ teknologi, som kunde betagen av de nyckel- häckarna till den flyttande fram kicken-K belägga med metall utfärda utegångsförbud för (HKMG) transistorer som kommer med branschen en, kliva närmare nästa generation av mobila apparater med mer att beräkna driver och förbättrade vastly batteriliv.

Halvledarebranschen firas för lösning av seemingly oöverstigliga odds för att fortsätta trenden in mot mindre, snabbare och energi-effektivare produkter. Utfört i partnerskap med IBM till och med planläggs GLOBALFOUNDRIES-' deltagande i IBM TeknologiAlliansen, den nya forskningen för att möjliggöra den fortsatte graderingen av halvledaredelar till den 22 nanometer knutpunkten och det okända.

På Symposiumen 2009 på VLSI-Teknologi i Kyoto anmälde Japan, GLOBALFOUNDRIES den första demonstrationen av en teknik som låter den likvärdigt oxidtjockleken (EOT) i en kick-K belägger med metall utfärda utegångsförbud för (HKMG) transistorn till fjäll besegrar för att välla fram det okända det jämnt som krävs för knutpunkten 22nm, stunder som underhåller en kombination av lågt läckage, låga ingångsspänningar och överlägsen bärarerörlighet.

”Är HKMG ett kritiskt del- av GLOBALFOUNDRIES' teknologikretsschema,”, sade Gregg Bartlett, vice verkställande direktör av teknologi och forskning och utveckling. ”Kunde Denna utveckling slutligen ge kunder med another bearbetar för att förhöja kapaciteten av deras produkter, bestämt i fasta-växa marknadsföra för ultra-bärbara anteckningsböcker och smartphones med fördjupat batteriliv. I samverkan med IBM och allianspartnerna knackar lätt på vi vår globala kunskap baserar för att framkalla avancerade teknologier att ska låt vårt kundstag på den fabriks- framkanten av halvledaren.”,

Att underhålla växlingprecisionen av en HKMG-transistor, måste EOTEN av kick-Koxidlagrar förminskas. Emellertid förminskande EOT-förhöjningarna läckageströmmen, som kan bidra till en förhöjning i drivaförbrukningen av en microchip. GLOBALFOUNDRIES och IBM har framkallat en ny teknik, som övervinner denna barriär som visar för den första tiden att EOT-gradering som väller fram det okända knutpunkten 22nm kan vara den uppnådda stunden som underhåller den nödvändiga kombinationen av läckage, ingångsspänningar och bärarerörlighet. Resultaten visades lyckat till och med fabricering av n-MOSFET en apparat med EOT av 0.55nm och enMOSFET med EOT av 0.7nm.

Last Update: 24. January 2012 22:06

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit