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为解决日益增长的晶圆级3D集成市场中的技术挑战的策略

Published on July 13, 2009 at 8:40 PM

“Soitec集团集团(巴黎Euronext) ,世界领先的供应商硅-上-绝缘体(SOI)和其他工程的微电子产业基板,宣布解决了越来越多的晶圆级3D集成市场中与家人的技术挑战的战略成熟的流程和工程基板。公司拥有核心技术的结合,在晶圆键合和堆放,生产基础设施和高容量的经验,以及强有力的知识产权开发晶圆级3D集成所需的建筑块的诀窍。 Soitec的3D技术战略是建立在三大支柱:低温智能剪切(TM)技术,智能堆叠(TM)技术和金属与金属直接键合,目前正在开发中。

“三维集成和晶圆级封装技术是有前途的和快速增长的细分明天的半导体产业,我们期待3D集成半导体,以50%到60%的复合年增长率增长2008至2015年期间,主要的记忆,图像传感器带动,微机电系统,模拟和CMOS逻辑应用,说:“杰罗姆男爵,Yole发展署首席分析师。 “尽管当前经济低迷的情况下,与3D集成创新的全球研发活动达到了前所未有的水平。”

“安德烈 - 雅克Auberton - 埃尔韦,总裁说:”我们正在使3D技术是可行的,具有广泛的和灵活的提供符合成本效益的晶圆级,我们的智能堆叠智能剪切技术的3D集成显着增加的价值, Soitec集团。 “CMOS加工与成像显示,使用SOI晶圆,最终产品是受益于较高的产量和提高可靠性。”

Smart Stacking技术可以部分或完全处理的电路晶圆到晶圆级堆叠。该技术采用低温氧化氧化物的分子键合,与特定的表面处理和高精密的晶圆减薄。低应力的晶圆键合过程中仍然兼容未来亚微米对准精度要求。这种技术适用于背面照度(BSI)图像传感器,以及通过最后3D集成的方法,如先进的半导体应用。使用SOI为起始原料,Soitec的技术使成功的需要,以实现最高的穿透硅通孔(TSV)互连密度的超薄层的堆叠。

Soitec的低温智能剪切工艺采用氧化氧化物的分子键合和原子级裂解转移将部分或全部是经过处理的晶圆薄至0.1微米的单晶硅薄膜。这种新材料的层,第二级的设备可以处理和集成,可以在一个迭代模式反复。传送一个非常薄的层,实现更高的互连密度,更高的信号的吞吐量和更简单的TSV的处理。其优点包括计算带宽的增加,整体制造成本较低,和减少布线连接的设备之间的距离因省电。这最后一个好处是非常适合用于生产先进的记忆体或CMOS逻辑的3D IC系统。

此外,Soitec的研发与CEA / LETI(法国原子能委员会电子和信息技术实验室)合作,在金属对金属粘接的工作扮演了关键作用,在该公司的三维一体化战略。这种方法运用粘接堆栈没有额外的压力和较低的热预算,以防止失真和不对的优势。主要应用是建立在3D堆栈在接合的互连。

在SEMICON West,7月14日至16日在旧金山,Soitec公司在北厅#5448展位参观。

Last Update: 3. October 2011 07:58

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