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Progettazione Fuori Con Successo Legata della Rete 45-Nanometer A Semiconduttore di Freescale

Published on July 28, 2009 at 9:00 AM

Cadence Design Systems, Inc. (NASDAQ: CDNS), la guida nell'innovazione elettronica globale di progettazione, oggi annunciata che il Semiconduttore di Freescale ha legato con successo fuori una progettazione con un nastro della rete di nanometro 45 facendo uso della prevenzione “di corretto-da-progettazione„ di Cadenza, dell'analisi, dell'implementazione e della soluzione di controllo per più velocemente, produzione più prevedibile del tempo volume. Il flusso incorpora a prevenzione, a analisi ed al il di controllo (DFM) basati a modello principali della progettazione-per-fabbricazione dell'industria, compreso Preannunciatore del CMP Fisico dell'Analizzatore, di Cadenza di Litho di Cadenza, Analizzatore Elettrico di Litho di Cadenza, l'Estrazione di Cadenza QRC ed all'l'ottimizzazione basata a modello di routing con il Sistema di Implementazione di Cadence® Encounter® (EDI) Digital. Questa metodologia senza cuciture ha dimostrato il tempo complessivo significativamente più veloce confrontato alle soluzioni tradizionali di DFM ed è stata usata per legare fuori la progettazione con un nastro a Fabbricazione Conceduta A Semiconduttore.

“Per le progettazioni in grande quantità facendo uso dei vertici trattati avanzati, crediamo che sia un enabler chiave e differenziatore per avere analisi ed implementazione silicio-accurate dei punti rendimento-critici quali litografia ed il CMP,„ ha detto Kyle Patterson, gestore delle Tecnologie di DFM al Semiconduttore di Freescale. “Comprendendo la Cadenza ha avanzato le tecniche di DFM, sia fisiche che elettrico, nell'implementazione, possiamo predire esattamente le emissioni di fabbricazione ed impedirle l'avvenimento e con una metodologia che cattura una frazione del tempo confrontato ai metodi tradizionali di DFM. Fondamentalmente, questo permette che noi acceleriamo i nostri requisiti del tempo volume e di time to market.„

Con le collaborazioni con le società principali a semiconduttore quale Freescale, la Cadenza ha sviluppato una della prevenzione del DFM più completa dell'industria, dell'analisi e delle metodologie di controllo, permettendo alle ottimizzazioni di progettazione-side che diminuiscono fabbricare il rischio. L'elaborazione distribuita multiconduttore di influenza delle soluzioni di Cadenza senza cuciture per indirizzare il ciclo di progettazione e la dimensione aumentanti del database aumenta a 45 - e 32 vertici trattati di nanometro ed è risultato consegnare la scalabilità quasi-lineare. Inoltre, l'Analizzatore Elettrico di Litho di Cadenza è la prima soluzione elettrica del DFM dell'industria (eDFM) nell'uso di produzione alle società di piombo a semiconduttore da 90 nanometri giù a 40 nanometri e corrente sta facilitando 32 - e lo sviluppo variabilità-informato della libreria di nanometro 28.

“La Nostra visione collettiva è di modellare esattamente gli effetti di fabbricazione ed indirizzarli durante la fase di progettazione,„ ha detto il Dott. Kuang-Kuo “K.K.„ Lin, senior manager dei Servizi di DFM Chartered. “Lavorando con la Cadenza per sviluppare i modelli silicio-accurati di DFM per l'analisi e l'implementazione digitale, abbiamo prodotto un DFM scorriamo con i vantaggi distinti per Freescale, che provoca i tempi di ciclo più veloci.„

“La complessità di progettazione ed i bilanci di fabbricazione rigorosi a 45 - e 32 nanometri richiedono la collaborazione a tre corsie iniziale fra il cliente, la fonderia e il EDA, inizio al livello delle biblioteche,„ ha detto Dave Desharnais, Direttore del gruppo di Soluzioni di Implementazione di Digital a Cadenza. “Siamo piacevoli che la nostra tecnologia silicio-provata ha permesso al successo ed allo sguardo della progettazione di Freescale in avanti di assicurazione dei loro successi continuati della chiusura di progettazione. La Cadenza continuerà ad investire per essere un fornitore principale di intero flusso manufacturability-informato di implementazione.„

Last Update: 13. January 2012 22:20

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