TSMC Agrega Proceso de la Energía Baja a su Alta-k Correspondencia de Camino de Entrada del Metal 28nm

Published on August 24, 2009 at 4:27 AM

Compañía de Fabricación del Semiconductor de Taiwán Limitada (TWSE: 2330, NYSE: TSM) anunciado hoy que está agregando un proceso de la energía baja a su alta-k correspondencia de camino de entrada (HKMG) del metal 28nm. Se prevee que el nuevo proceso incorpore la producción del riesgo en el tercer cuarto de 2010.

Ha seguido habiendo el revelado y la rampa del 28nm de TSMC en horario desde que la compañía anunció la tecnología en septiembre de 2008. La producción del riesgo de los nuevos procesos sigue el proceso del alto rendimiento (HP) de HKMG por un cuarto y el proceso (LP) del oxinitruro del silicio (SiON) de la energía baja por dos alojamientos. La producción del Riesgo para el proceso de SiON (LP) de la energía baja 28nm se programa para el extremo del primer trimestre de 2010, mientras que la producción del riesgo para el proceso de 28nm HP se prevee en el extremo del segundo trimestre, 2010.

(Energía baja con HKMG) el proceso 28nmHPL es un derivado de la tecnología del alto rendimiento HKMG de TSMC y ofrece energía baja, fuga inferior, y media-alto funcionamiento en una aproximación entrada-pasada. Utiliza aplicaciones inferiores del fuga tales como teléfono celular, netbook elegante, comunicación inalámbrica y productos electrónicos de consumo portátiles.

El proceso de 28nm HPL viene completo con el soporte completo del dispositivo y se considera conveniente como plataforma del SoC para las aplicaciones generales del mercado. Se distingue de la tecnología 28LP, que se coloca para las aplicaciones celulares y del PDA donde está el más atractivo un tiempo-a-mercado más barato y más rápido de un proceso evolutivo de SiON.

El proceso de 28nm HP, anunciado como parte de la introducción De septiembre de 2008, también se emplea una aproximación entrada-pasada y utiliza los dispositivos impulsados funcionamiento tales como CPU, GPUs, Chipsetes, FPGAs, consola del videojuego y aplicaciones el calcular movible.

“Desarrollamos una aproximación entrada-pasada para familia de la entrada del metal del 28nm de TSMC la alta-k que es superior en términos de parte superior de las características del transistor, de gama alta y baja del funcionamiento, y manufacturability,” dijo al Dr. Jack Sun, vicepresidente, Investigación y desarrollo, TSMC.

“TSMC ha estado trabajando con los clientes durante un periodo de tiempo importante para desarrollar las altas-k tecnologías de la entrada del metal para las aplicaciones de la energía baja. La adición del 28nm HPL a la familia de la tecnología 28nm, combinada con el 28LP y el 28HP, significa que TSMC ahora proporciona a la cartera más completa de la tecnología 28nm,” dijo al Dr. Mark Liu, vicepresidente, Asunto de la Tecnología Avanzada, TSMC.

Para utilizar completo la potencia de la familia de la tecnología 28nm para una amplia gama de productos diferenciadores, TSMC está trabajando de cerca con los clientes y los socios del ecosistema para construir una infraestructura completa del diseño basada en la Innovación Abierta recientemente revelada Platform™ de la compañía. La Innovación Abierta Platform™, recibido por TSMC, está abierta a los clientes y a los socios de TSMC.

TSMC es la fundición dedicada más grande del semiconductor del mundo, proporcionando a la tecnología de proceso de cabeza de la industria y a la cartera más grande de la fundición de las bibliotecas proceso-probadas, IP, herramientas de diseño y flujos de la referencia. La capacidad manejada total de la Compañía excedió en 2008 9 millones de fulminantes equivalentes de 8 pulgadas, incluyendo capacidad a partir del dos avance 12 pulgadas - GigaFabs™, cuatro fabs de la ocho-pulgada, una seis-pulgada de fabuloso, así como las filiales enteramente poseídas de TSMC, WaferTech y TSMC (China), y su fabuloso conjunto, SSMC. TSMC es la primera fundición para proporcionar a capacidades de la producción 40nm. Sus comandancias de la corporación están en Hsinchu, Taiwán.

Last Update: 13. January 2012 18:26

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