TSMC Aggiunge il Trattamento di Potere Basso al suo Programma di Strada Alto--K del Portone del Metallo 28nm

Published on August 24, 2009 at 4:27 AM

Azienda Manifatturiera A Semiconduttore di Taiwan Limitata (TWSE: 2330, NYSE: TSM) oggi annunciato che sta aggiungendo un trattamento di potere basso al suo programma di strada alto--K del portone del metallo (HKMG) 28nm. Il nuovo processo si pensa che fornisca la produzione di rischio nel terzo trimestre di 2010.

Lo sviluppo e la rampa del 28nm di TSMC è rimanere nei termini da quando la società ha annunciato la tecnologia nel settembre 2008. La produzione del rischio dei nuovi processi segue il trattamento di rendimento elevato (HP) di HKMG da un quarto ed il trattamento (LP) del oxynitride del silicio (SiON) di potere basso da due quarti. La produzione di Rischio per il trattamento di SiON (LP) di potere basso 28nm è preveduta per l'estremità di un primo trimestre di 2010, mentre la produzione di rischio per il trattamento di 28nm HP è preveduta alla fine del secondo trimestre, 2010.

Con HKMG) il trattamento 28nmHPL (potere basso è un derivato della tecnologia del rendimento elevato HKMG di TSMC e caratterizza il potere basso, la dispersione bassa e la prestazione media alta su un portone-ultimo approccio. Supporta le applicazioni basse di dispersione quali il telefono cellulare, il netbook astuto, la comunicazione wireless ed i prodotti elettronici di consumo del portatile.

Il trattamento di 28nm HPL viene completo con il supporto completo dell'unità ed è considerato adatto come piattaforma del SoC per le applicazioni generali del mercato. È differenziato dalla tecnologia 28LP, che è posizionata per le applicazioni cellulari e tenute in mano dove il time to market più a basso costo e più veloce da un trattamento evolutivo di SiON è più attraente.

Il trattamento di 28nm HP, annunciato come componente dell'introduzione Del settembre 2008, egualmente è sviluppato su un portone-ultimo approccio e supporta le unità determinate la prestazione quali i CPU, GPUs, Chipset, FPGAs, la console del video gioco e le applicazioni di computazione mobile.

“Abbiamo sviluppato un portone-ultimo approccio per la famiglia alta--K del portone del metallo del 28nm di TSMC che è superiore in termini di parte superiore della prestazione di caratteristiche, della parte alta e della parte bassa del transistor e manufacturability,„ ha detto il Dott. Jack Sun, vice presidente, Ricerca e sviluppo, TSMC.

“TSMC sta funzionando con i clienti su un periodo significativo sviluppare le tecnologie alte--K del portone del metallo per le applicazioni di potere basso. L'aggiunta del 28nm HPL alla famiglia della tecnologia 28nm, combinata con il 28LP e il 28HP, significa che TSMC ora fornisce il portafoglio della tecnologia più completo 28nm,„ ha detto il Dott. Mark Liu, vice presidente senior, l'Affare di Tecnologia Avanzata, TSMC.

Per completamente utilizzare la potenza della famiglia della tecnologia 28nm per una vasta gamma di prodotti di differenziazione, TSMC sta funzionando molto attentamente con i clienti ed i partner di ecosistema per sviluppare un'infrastruttura completa di progettazione basata sull'Innovazione Aperta recentemente rivelata Platform™ della società. L'Innovazione Aperta Platform™, ospitato da TSMC, è aperta ai clienti ed ai partner di TSMC.

TSMC è la più grande fonderia dedicata a semiconduttore del mondo, fornente la tecnologia della trasformazione principale dell'industria e portafoglio della fonderia il più grande delle librerie trattamento-provate, IP, strumenti di progettazione e flussi di riferimento. La capacità gestita totale della Società nel 2008 ha superato 9 milione wafer equivalenti a 8 pollici, compreso la capacità da due ha avanzato a 12 pollici - GigaFabs™, quattro fabs di otto-pollice, favoloso un sei-pollice come pure le consociate interamente di proprietà di TSMC, WaferTech e TSMC (Cina) e la sua società a capitale misto favolosa, SSMC. TSMC è la prima fonderia per fornire le capacità di produzione 40nm. Le Sue sedi corporative sono a Hsinchu, Taiwan.

Last Update: 13. January 2012 20:15

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