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TSMCは、28nm世代のHigh - kメタルゲートのロードマップに低消費電力プロセスを追加します。

Published on August 24, 2009 at 4:27 AM

台湾セミコンダクターマニュファクチャリングカンパニーリミテッド(TWSE:2330、NYSE:TSM)は本日、28nmのHigh - kメタルゲート(HKMG)ロードマップに低電力プロセスを追加していることを発表しました。新しいプロセスは、2010年第3四半期にリスク生産を入力することが期待される。

同社は2008年9月の技術を発表してから、TSMCの28nmの開発とランプがスケジュールどおりに推移している。新しいプロセスのリスク生産は、2分の1に4分の1でHKMG高性能(HP)プロセスおよび低電力(LP)酸窒化シリコン(SiON)プロセスに従います。 28nmのHPプロセスのリスク生産は第2四半期末に予想される間、28nmの低電力(LP)SiONプロセスのリスク生産は2010年、2010年第1四半期末を予定しています。

28nmHPL(HKMGの低電力)プロセスは、TSMCの高性能HKMG技術の派生物であり、ゲート最後のアプローチで低消費電力、低リーク電流、および中規模の高い性能を備えています。それは、携帯電話、スマートネットブック、無線通信および消費者向け携帯電子機器などの低リークのアプリケーションをサポートしています。

28nmのHPLプロセスは、包括的なデバイスサポートが組み込まれていると一般的な市場のアプリケーション向けのSoCプラットフォームとして適切なものとみなされます。それは進化のSiONプロセスからの低コストとTime - to - Marketの高速化が最も魅力的な携帯電話やハンドヘルドアプリケーション用に配置される28LP技術、と区別されます。

2008年9月導入の一部として発表された28nmのHPプロセスは、、また、ゲート最後のアプローチに基づいて構築されており、CPUやGPUは、チップセット、FPGAは、ビデオゲーム機およびモバイルコンピューティングアプリケーションなどのパフォーマンス駆動型のデバイスをサポートしています。

"我々は、トランジスタ特性、ハイエンドとローエンドのパフォーマンスを逆さまにし、製造の面で優れているTSMCの28nm世代のhigh - kメタルゲートの家族のためのゲート最後のアプローチを開発し、"博士ジャック日、副社長、研究開発は言った、TSMC。

"TSMCは、低消費電力アプリケーションにのhigh - kメタルゲート技術を開発するための重要な期間にわたって、顧客と協力しています。 28LPと28HPを組み合わせた28nm技術ファミリに28nmのHPL、、の加算は、TSMCが今最も包括的な28nm技術ポートフォリオを提供することを意味する、"博士マーク劉さんは、上級副社長、先端技術事業、TSMCは言った。

完全に差別化製品の広い範囲のための28nm技術ファミリのパワーを利用するには、TSMCは、同社が最近発表したオープンイノベーションプラットフォーム™に基づいて包括的な設計のインフラストラクチャを構築するために、顧客とのエコシステムパートナーと緊密に協力しています。 TSMCが主催するオープンイノベーションプラットフォーム™は、TSMCの顧客やパートナーに公開されています。

TSMCは、業界をリードするプロセス技術とプロセス実証済みライブラリ、IP、デザインツール、リファレンスフローのファウンドリの最大のポートフォリオを提供し、世界最大の半導体専業ファンドリーメーカーです。 GigaFabs™、8インチファブ4、1つの6インチファブだけでなく、TSMC社の子会社であるWaferTechと - 2008年の当社の総管理容量は、2つの先進的な12インチから容量を含め、900万8インチウェーハ換算を超えTSMC(中国)との合弁工場、生産を行っております。 TSMCは、40nmの製造能力を提供する最初のファンドリーメーカーです。本社を台湾の新竹に設置しています。

Last Update: 11. October 2011 05:58

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