Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

TSMC Добавляет Процесс Низкой Мощности к своей Высокой-K Дорожной Карте Строба Металла 28nm

Published on August 24, 2009 at 4:27 AM

Ограничиваемая Компания Обрабатывающей Промышленности Полупроводника Тайвани (TWSE: 2330, NYSE: TSM) сегодня объявленное что оно добавляет процесс низкой мощности к своей высокой-k дорожной карте строба металла (HKMG) 28nm. Ожидано, что вписывает новый процесс продукцию риска в третью четверть 2010.

Развитие и пандус 28nm TSMC оставали на план-графике в виду того что компания объявила технологию в сентябре 2008. Продукция риска новых процессов следовать процессом высокой эффективности (HP) HKMG одн и процессом (LP) oxynitride кремния (SiON) низкой мощности 2 четвертями. Продукция Риска для процесса SiON (LP) низкой мощности 28nm запланирована для конца первая четверти 2010, пока продукция риска для процесса HP 28nm предположена в конце вторая четверти, 2010.

(Низкая мощность с HKMG) процесс 28nmHPL технология высокой эффективности HKMG производная от TSMC и отличает низкой мощностью, низкой утечкой, и средств-высоким проведением на строб-последнем подходе. Он поддерживает низкие применения утечки как сотовый телефон, умное netbook, беспроволочное сообщение и портативная бытовая электроника.

Процесс 28nm HPL приходит полно с всесторонней поддержкой прибора и учтен соответствующим как платформа SoC для общих применений рынка. Он продифференцирован от технологии 28LP, которая расположена для клетчатых и handheld применений где более недорогое и более быстрое время на реализацию от постепеновского процесса SiON самые привлекательные.

Процесс HP 28nm, объявленный как часть введения Сентября 2008, также построен на строб-последнем подходе и поддерживает приборы управляемые представлением как C.P.U., GPUs, Наборы микросхем, FPGAs, пульт видеоигры и применения передвижной вычислять.

«Мы начали строб-последний подход для семейства строба металла 28nm TSMC высокого-k которое главно оперируя понятиями внешней стороны представления характеристик, верхнего сегмента и нижнего конца транзистора, и manufacturability,» сказал Др. Jack Солнце, недостаток - президент, Научные Исследования и Разработки, TSMC.

«TSMC работал с клиентами над значительно периодом времени для того чтобы начать высокие-k технологии строба металла для применений низкой мощности. Добавление 28nm HPL к семейству технологии 28nm, совмещенное с 28LP и 28HP, значит что TSMC теперь обеспечивает самое всестороннее портфолио технологии 28nm,» сказало Др. Маркировать Liu, старший вице-президент, Дело Передовой Технологии, TSMC.

Полно для того чтобы использовать силу семейства технологии 28nm для обширного ряда дифференцировать продукты, TSMC работает близко с клиентами и соучастниками экосистемы для того чтобы построить всестороннюю инфраструктуру конструкции основанную на Рационализаторстве Platform™ компании недавно раскрынном Открытом. Открытое Рационализаторство Platform™, котор хозяйничает TSMC, открыто к клиентам и соучастникам TSMC.

TSMC плавильня полупроводника мира самая большая преданная, обеспечивая технологический прочесс индустрии ведущий и портфолио плавильни самое большое процесс-доказанных архивов, IP, инструментов для конструирования и подач справки. Емкость Компании управляемая итогом в 2008 превысила 9 миллионов вафли 8 дюймов соответствующие, включая емкость от 2 выдвинула 12 дюйма - GigaFabs™, 4 fabs 8-дюйма, один 6-дюйм сказочного, так же, как дочернего компании TSMC всецелло имеемого, WaferTech и TSMC (Китай), и своего совместного предприятия сказочного, SSMC. TSMC первая плавильня для того чтобы обеспечить возможности продукции 40nm. Свои корпоративные штабы в Hsinchu, Тайвани.

Last Update: 13. January 2012 21:10

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit