Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

台積電將低功耗工藝的28nm高- k金屬柵極路地圖

Published on August 24, 2009 at 4:27 AM

台灣半導體製造有限公司(代號:2330,NYSE:TSM)今天宣布,它是加入了低功耗工藝的28nm高- k金屬柵極(HKMG)的路線圖。預計,進入 2010年第三季度的風險生產新工藝。

台積電的28nm發展和坡道如期一直以來,該公司宣布在2008年9月的技術。新工藝的風險生產如下四分之一的HKMG高性能(HP)工藝和低功耗(LP)氮氧化矽(SION)兩個季度的過程。 28nm低功耗(LP)的SiON過程中的風險生產日期為 2010年第一季度結束,而風險的28nm惠普進程生產,預計在第二季度,2010年底。

28nmHPL(低功耗與 HKMG)工藝是TSMC的高性能HKMG技術的衍生工具和功能上的最後一個門的方式的低功耗,低漏電,和中高性能。它支持低洩漏應用,如手機,智能上網本,無線通訊和便攜式消費電子產品。

28nm的HPL過程的完整與全面的設備支持,被認為是適合作為一般的市場應用的SoC平台。它不同於 28LP技術,這是為蜂窩和手持設備應用,更低的成本和更快的將產品推向市場的時間從一個進化的SiON過程是最有吸引力的的定位。

28nm制HP過程中,宣布為 2008年9月引進的一部分,也是建立在最後一個門的方式,驅動裝置,如CPU,GPU的性能,芯片組,FPGA中,視頻遊戲機和移動計算應用提供支持。

“台積電的28nm高- k金屬柵極晶體管特性,高端和低端性能上攻,和製造方面的優越的家庭,我們制定了一個門,最後一種方法,博士說:”傑克孫,副總裁,研究與發展,台積電。

“台積電已工作過一段時間的重要時期發展與客戶的高- k金屬柵極技術的低功耗應用。劉馬克博士,高級副總裁,高級技術業務,台積電的28nm HPL 28nm技術系列相結合,與 28LP和28HP,除了意味著,台積電目前提供了最全面的28nm技術組合,說:“。

為了充分利用廣泛的產品脫穎而出的28nm技術家庭的力量,台積電正與客戶和生態系統合作夥伴密切合作,以建立一個全面的設計基礎,根據公司最近推出的開放創新平台™。開放式創新平台™,由台積電主辦,台積電的客戶和合作夥伴開放。

台積電是世界上最大的專業半導體製造公司,提供業界領先的工藝技術和鑄造的最大組合工藝驗證庫,知識產權,設計工具和參考流程。該公司的總管理,在2008年能力超過 9百萬 8英寸相當於晶圓,包括從兩個先進的12英寸容量 - GigaFabs™,四個八英寸晶圓廠,之一六英寸晶圓廠,以及台積電的全資子公司,WaferTech和台積電(中國),其合資晶圓廠,SSMC的。台積電是第一個提供的40nm生產能力的鑄造。公司總部在台灣新竹。

Last Update: 4. October 2011 22:43

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit